近红外-可见光可调图像传感器制造技术

本发明专利技术属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明专利技术将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明专利技术适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图像传技术感器，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器及其制造方法，属于半导体感光器件领域。
技术介绍
互补金属-氧化物-半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor, CMOS)图像传感器包括多个MOS晶体管和用作外围电路的信号处理电路部分，并利用COMS技术将其整合在半导体衬底之上。传统CMOS图像传感器核心的感光元件部分即单个像素，主要由一个反偏二极管与放大MOS晶体管组成，通过MOS晶体管依次检测出各单位像素的输出。图1展示了一种现有的CMOS图像传感器的单个像素单元的电路组成。如图1，该CMOS图像传感器的单个像素单元具有4个MOS晶体管，具体包括光电二极管(PD)1、电荷转移门管(TG) 2、复位晶体管(RST) 3、源极跟随器(SF) 4、选择晶体管(RS) 5以及电容器(FD) 60它 的工作过程是首先进入“复位状态”，复位晶体管导通，对光电二极管进行复位。然后进入“取样状态”，复位晶体管关闭，光照射到光电二极管上产生光生载流子，并通过源极跟随器放大输出。最后进入“读出状态”，这时选择晶体管打开，信号通过列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近红外?可见光可调图像传感器，其特征在于，包括：一个具有p型掺杂类型的硅衬底；在所述硅衬底上形成的硅基光电二极管；在所述硅衬底上形成的锗化硅基光电二极管；在所述硅衬底内、所述硅基光电二极管与所述锗化硅基光电二极管之间形成的第一晶体管与第二晶体管；在所述硅衬底之上、所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮动节点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，刘昕彦，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：