CMOS图像传感器的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，在本发明专利技术的一个技术方案中，利用第一次光刻工艺形成第一图形化光刻胶层，第一图形化光刻胶层用于定义第一浅沟槽的位置，去除第一图形化光刻胶层之后，利用第二次光刻工艺形成第二图形化光刻胶层，第二图形化光刻胶层用于定义第二浅沟槽的位置，继续以第二图形化光刻胶层为掩模进行离子注入以在第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区，因而第二浅沟槽的底部不会残留光刻胶层，进而不会出现残留光刻胶会影响位于第二浅沟槽表面的第一掺杂区的形成问题。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器的形成方法
本专利技术属于CMOS图像传感器领域，特别是涉及一种CMOS图像传感器的形成方法。
技术介绍
图像传感器的作用是将光学图像转化为相应的电信号。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其它器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等。CMOS图像传感器中将光学图像转化为相应的电信号的部件为像素(pixel)，像素包括光电转换元件及像素电路，像素电路包括晶体管。根据像素电路中晶体管的数量，CMOS图像传感器可分为3T式CMOS图像传感器、4T式CMOS图像传感器。图1是3T式CMOS图像传感器的像素的结构示意图，如图1所示，一个像素包括包括光电转换元件PD及像素电路，像素电路包括复位晶体管M2、源跟随晶体管M3及选择晶体管M4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围电路区域及像素区域；在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层，以所述第一图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成第一浅沟槽，所述第一浅沟槽设置在所述半导体衬底外围电路区域与像素区域之间；去除残余的第一图形化光刻胶层之后，在所述半导体衬底上形成第二图形化光刻胶层，所述第一浅沟槽被所述第二图形化光刻胶层覆盖住，以所述第二图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成设置在半导体衬底像素区域的第二浅沟槽；以所述第二图形化光刻胶层为掩模，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区；去除残余的第二图形化光刻胶层...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围电路区域及像素区域；在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层，以所述第一图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成第一浅沟槽，所述第一浅沟槽设置在所述半导体衬底外围电路区域与像素区域之间；去除残余的第一图形化光刻胶层之后，在所述半导体衬底上形成第二图形化光刻胶层，所述第一浅沟槽被所述第二图形化光刻胶层覆盖住，以所述第二图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成设置在半导体衬底像素区域的第二浅沟槽；以所述第二图形化光刻胶层为掩模，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区；去除残余的第二图形化光刻胶层之后，向所述第一浅沟槽及第二浅沟槽内填充绝缘层，以形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底像素区域形成光电转换元件；在所述第二浅沟槽下方形成用以隔离相邻两个像素中光电转换元件的第二掺杂区。2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层之前，在半导体衬底上形成氮化硅层。3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂区的步骤在形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构的步骤与在所述半导体衬底像素区域形成光电转换元件的步骤之间，并包括：在所述半导体衬底、第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构上形成第三图形化光...

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，黄庆丰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：