CMOS图像传感器的制造方法技术

本发明专利技术公开了CMOS图像传感器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：(1)p型衬底包括外围区域和像素单元区域，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(2)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的n型隔离环；(3)图像信号及偏移信号依次从多个图像传感器输出到共同信号线，将定时信号反馈到多个图像传感器中；(4)执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；(5)利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次、第二次离子注入。本发明专利技术可以有效隔离外围电路中产生的噪声，并且可以吸收像素单元区域的浮动电子，从而提高CMOS图像传感器的成像质量，而且能够抑制共同信号线的电压电平的衰减，能够降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件生产领域，尤其是CMOS图像传感器的制造方法。
技术介绍
由于在CMOS制造技术中使用了相对较少的必要光刻处理步骤，CMOS图像传感器具有功率损耗低和制造过程简单的特点。此外，由于CMOS图像传感器集成在其芯片上，所以可以被用于制造小尺寸产品。CMOS图像传感器被广泛应用于不同领域，但是在实际应用中发现，现有的CMOS图像传感器信噪比比较低，CMOS图像传感器成像质量较差，而且现有技术的图像传感器制造方法，需要一个附加掩膜来形成相邻像素区域之间的注入隔离区，由此增大了图像传感器的制造成本，并且增加了单独的制造注入隔离区的工艺步骤，由此增加了工艺复杂性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供CMOS图像传感器的制造方法，本专利技术采用的技术方案是：CMOS图像传感器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：(1)p型衬底包括外围区域和像素单元区域，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(2)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的n型隔离环；(3)图像信号及偏移信号依次从多个图像传感器输出到共同信号线，将定时信号反馈到多个图像传感器中；(4)执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；(5)利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次、第二次离子注入。本专利技术设计简单，可以有效隔离外围电路中产生的噪声，并且可以吸收像素单元区域的浮动电子，从而提高CMOS图像传感器的成像质量，而且能够
抑制共同信号线的电压电平的衰减，能够降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。具体实施方式本专利技术为CMOS图像传感器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：(1)p型衬底包括外围区域和像素单元区域，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(2)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的n型隔离环；(3)图像信号及偏移信号依次从多个图像传感器输出到共同信号线，将定时信号反馈到多个图像传感器中；(4)执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；(5)利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次、第二次离子注入。p型衬底表面形成含有第一开口的第一光刻胶层，第一光刻胶层为掩膜，注入n型离子，在像素单元区域形成n型埋层，其中n型离子为磷离子或者砷离子。本专利技术设计简单，可以有效隔离外围电路中产生的噪声，并且可以吸收像素单元区域的浮动电子，从而提高CMOS图像传感器的成像质量，而且能够抑制共同信号线的电压电平的衰减，能够降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：(1)p型衬底包括外围区域和像素单元区域，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(2)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的n型隔离环；(3)图像信号及偏移信号依次从多个图像传感器输出到共同信号线，将定时信号反馈到多个图像传感器中；(4)执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；(5)利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次、第二次离子注入。

【技术特征摘要】
1.CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：(1)p型衬底包括外围区域和像素单元区域，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(2)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的n型隔离环；(3)图像信号及偏移信号依次从多个图像传感器输出到共同信号线，将定时信号反馈到多个图像传感器中；(4)执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；(5)利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次、第二次离子注入。2.根据权利要求1所述CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：所述p型衬底表面形...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚玉娜，
申请(专利权)人：西安开能数字信息技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61