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本发明公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，在本发明的一个技术方案中，利用第一次光刻工艺形成第一图形化光刻胶层，第一图形化光刻胶层用于定义第一浅沟槽的位置，去除第一图形化光刻胶层之后，利用第二次光刻工艺形成第二图形化光刻胶层，第二图形化光...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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