【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于照明光源领域,具体涉及一种倒装RCLED及其制备方法,特别涉及一种高光效、高带宽的可见光通信用倒装RCLED及其制备方法。
技术介绍
白光LED节能环保、寿命可靠,通过加载人眼无法感测的高速调制信号传送数据,可以在兼顾照明的同时实现可见光无线通信的功能。不过,LED的频率响应也直接决定了可见光通信系统的调制带宽和传输速度。RCLED(ResonantCavityLight-EmittingDiode,共振腔发光二极管)是有源区在谐振腔中的发光二极管,借助微腔效应改变真空电磁场的模式结构,可使共振波长的光模式密度增大,从而增加有源区的自发辐射速率,降低载流子的复合寿命,提高调制带宽。同时,利用F-P腔干涉效应改变出射角的功率分布,可使出射光大部分集中于提取角内,从而增加光出射,提高外量子效率。RCLED光谱纯度较高、热稳定性较好,是协同改善LED频率响应和量子效率方面极具潜力的光源解决方案。不过,面向光通信的GaN基RCLED研究依然存在诸多难点。对于传统正装RCLED,以氧化物DBR作上、下反射镜时,其局限在于衬底不能彻底减薄,腔长难以缩短到少数波长量级,因此,微腔效应相对较弱。目前的解决方案主要有两个:一是激光剥离蓝宝石,然后在剥离GaN面沉积高反的氧化物DBR或金属反射镜再与其它衬底热压键合或电镀;另一个是LED外延结构中直接在蓝宝石侧引入以AlN/GaN系为代表的高反率氮化物D ...
【技术保护点】
一种可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,所述可见光通信用倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板,其中:所述LED芯片包括:芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极;所述氮化物DBR层和氧化物DBR层分别作为所述可见光通信用倒装RCLED的上、下反射镜,下反射镜制作在所述透明导电层上且其反射率高于上反射镜;所述p电极完全覆盖所述氧化物DBR层并与所述透明导电层互联,所述n电极制作在所述n型半导体层上;所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘;所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。
【技术特征摘要】
1.一种可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,所述可见光通信用
倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板,其中:
所述LED芯片包括:芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR
层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层
和p、n电极;
所述氮化物DBR层和氧化物DBR层分别作为所述可见光通信用倒装
RCLED的上、下反射镜,下反射镜制作在所述透明导电层上且其反射率
高于上反射镜;
所述p电极完全覆盖所述氧化物DBR层并与所述透明导电层互联,
所述n电极制作在所述n型半导体层上;
所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离
的P、N电极焊盘;
所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电
极焊盘电连接。
2.根据权利要求1所述的可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,
所述芯片衬底为蓝宝石或碳化硅;所述支撑衬底为硅、陶瓷、线路板或金
属板,所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,
所述n型半导体层的一侧朝向芯片衬底的方向上形成有台面,所述台面的
深度小于所述n型半导体层的厚度。
4.根据权利要求1所述的可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,
所述有源区为蓝光、绿光或深紫外波段多量子阱结构;所述透明导电层为
ITO、石墨烯或ZnO薄膜。
5.根据权利要求1所述的可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,
所述氧化物DBR层的制备材料为多周期氧化物DBR材料组,且在有源区
波段附近反射率不低于90%;所述氮化物DBR层的制备材料为多周期氮
化物DBR材料组,且在有源区波段附近的反射率低于氧化物DBR层。
6.根据权利要求1所述的可见光通信用倒装RCLED,其特征在于,
\t所述上、下反...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨超,赵丽霞,朱石超,刘磊,于治国,王军喜,李晋闽,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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