MOS晶体管的形成方法技术

一种MOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。本技术方案通过改变干法刻蚀的工艺参数，在半导体衬底内形成沟槽，并且所述沟槽的底部较宽，从而避免了后续进行湿法刻蚀时在沟槽底部出现尖角现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及ー种MOS晶体管的形成方法。
技术介绍
金属-氧化物-半导体(metal oxide semiconductor, M0S)场效应晶体管作为半导体制造中最基本的器件，广泛应用于各种集成电路中，MOS晶体管分为P沟道型MOS晶体管和N沟道型MOS晶体管。随着半导体器件尺寸的不断减小，在32nm以下制造エ艺中，已经很难通过进ー步减小特征尺寸来提升半导体器件的性能。而对于MOS晶体管而言，通常是采用应变硅技木，在不缩小器件特征尺寸的情况下，提高MOS晶体管的器件性能。目前，应变硅技术主要分为 全局应变和局部应变。其中，全局应变技术是指应カ由衬底产生，且可以覆盖所有制作在衬底上的晶体管区域。例如，可产生全局应变的材料包括绝缘层上锗娃(SiGe On Insulator,SG0I)、锗硅虚拟衬底等。局部应变技术通常是只在半导体器件的局部向半导体沟道区域施加应力。例如，在源漏区注入锗硅(SiGe)或碳化硅(SiC)、双应カ层技术等。但是，现有的局部应变技术还存在不足，以在源漏区注入锗硅(SiGe)为例。參考图I至图4所示的现有技术中在栅极间形成源漏区的剖面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形成第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：