【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体场效应晶体管器件的制备方法，尤其涉及一种碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
ニ维网络状的碳纳米管(CNT)由于其具有很好的传输特性及有望在电子器件如场效应晶体(TFT)和化学传感方面发挥重要作用，近年来备受广大人们的关注。为了更好地使其在电子器件方面的发挥作用，因此制备质量好的ニ维交联网络结构碳纳米管薄膜具有非常重要的意义。 目前，用于制备ニ维网络状的碳纳米管薄膜的方法主要有干法和湿法两种，干法主要是指CVD法，这种方法通常需要较高的反应温度并且操作比较复杂。溶液法主要包括旋涂、LB膜和印刷方式。但是，目前用于制备网络状的碳纳米管薄膜的溶液法均存在着一个问题，碳纳米管在成网络结构薄膜的过程中容易发生聚集，从而导致不同形貌尺寸的薄膜出现大片的团簇现象。此外，旋涂和LB成膜过程中存在着分子排列无序，容易混入杂质的缺点，而印刷成膜存在着对墨水的粘度、表面张カ等物理化学性质要求极为苛刻，同时印刷设备本身的成本高的缺陷。因此,开发一种低成本，同时能更好地改善碳纳米管薄膜质量的制备方法来获得高性能的晶体管显得尤为迫切。
技术实现思路
为解决上述问题...
【技术保护点】
一种碳纳米管场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，所述有源层是通过采用电纺丝法将碳纳米管、高分子聚合物及有机溶剂组成的组合物喷射到接收板上形成的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘革波，肖燕，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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