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本发明涉及半导体制备技术,提供一种碳纳米管场效应晶体管其有源层的制备方法,包括如下步骤:将碳纳米管分散在有机溶剂中,然后加入高分子聚合物,在常温下搅拌至高分子聚合物完全溶解于所述有机溶剂中,形成碳纳米管与高分子聚合物的混合体系,采用电纺丝设...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明涉及半导体制备技术,提供一种碳纳米管场效应晶体管其有源层的制备方法,包括如下步骤:将碳纳米管分散在有机溶剂中,然后加入高分子聚合物,在常温下搅拌至高分子聚合物完全溶解于所述有机溶剂中,形成碳纳米管与高分子聚合物的混合体系,采用电纺丝设...