双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构技术

本发明专利技术涉及一种双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；包封；贴光阻膜作业；塑封料表面开孔；电镀金属线路层；芯片倒装及芯片底部填充；包封；贴光阻膜作业；化学蚀刻；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；塑封料表面挖沟槽；电镀金属线路层；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；清洗；植球；切割成品；本发明专利技术的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：？步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，？步骤三、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤五、电镀惰性金属线路层将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，？步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，？步骤七、去除金属基板表面...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，李维平，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：