双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构技术

本发明专利技术涉及一种双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；包封；贴光阻膜作业；塑封料表面开孔；电镀金属线路层；芯片倒装及芯片底部填充；包封；贴光阻膜作业；化学蚀刻；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；塑封料表面挖沟槽；电镀金属线路层；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；清洗；植球；切割成品；本发明专利技术的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：？步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，？步骤三、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤五、电镀惰性金属线路层将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，？步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，？步骤七、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，？步骤八、包封将步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面进行包封塑封料作业，？步骤九、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在步骤八完成包封的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，？步骤十、塑封料表面开孔在步骤九完成贴膜作业后的金属基板正面包封塑封料的表面进行后续电镀区域的开孔作业，步骤十一、电镀金属线路层将步骤十金属基板正面包封塑封料表面已完成开孔的区域电镀上金属线路层，？步骤十二、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，去除方法采用化学药水软化并采用高压水喷除的方式，步骤十三、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，？步骤十四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤十三完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤十五、金属化前处理将步骤十四金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，？步骤十六、电镀金属线路层将步骤十五金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的上部，？步骤十七、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，？步骤十八、装片及芯片底部填充在步骤十六相对形成的引脚或基岛和引脚的上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂，步骤十九、包封将步骤十八完成金属线键合后的金属基板正面进行包封塑封料作业，？步骤二十、贴光阻膜作业利用贴膜设备在步骤十九完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，？步骤二十一、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤二十完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，步骤二十二、化学蚀刻将步骤二十一中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，？步骤二十三、电镀金属线路层在步骤二十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，？步骤二十四、包封将步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面进行塑封料的包封作业，？步骤二十五、塑封料表面开孔在步骤二十四金属基板背面包封塑封料的表面进行后续电镀区域的开孔作业，？步骤二十六、塑封料表面挖沟槽在步骤二十四金属基板背面包封塑封料得表面进行后续电镀区域的挖沟槽作业，步骤二十七、电镀金属线路层将步骤二十五金属基板背面包封塑封料表面已完成开孔的区域电镀上金属线路层，？步骤二十八、覆上线路网板在金属基板背面覆上线路网板，？步骤二十九、金属化前处理对步骤二十八金属基板背面线路网板未覆盖区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，？步骤三十、移除线路网板将步骤二十八中金属基板正面覆上的线路网板移除，步骤三十一、电镀金属线路层将步骤二十九金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚或基岛和引脚的下部，？步骤三十二、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，？步骤三十三、包封将金属基板背面进行包封塑封料作业，？步骤三十四、塑封料表面开孔在步骤三十三金属基板背面包封塑封料的表面进行后续植金属球区域的开孔作业，步骤三十五、清洗对步骤三十四金属基板背面塑封料开孔处进行清洗，步骤三十六、植球在步骤三十五经过清洗的小孔内植入金属球，？步骤三十八、切割成品将步骤三十六完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得双面三维线路芯片倒装先封后蚀封装结构成品。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，李维平，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：