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一种MOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成...
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