配线基板及制造配线基板的方法技术

一种配线基板，其防止在绝缘层和电极焊盘之间的界面处附近出现分层，所述电极焊盘形成于所述绝缘层的凹部内。在形成于支持体上的抗蚀膜的开口内形成调整层，以调整所述电极焊盘的形状。所述调整层包括基本上平行于所述支持体的平坦表面以及从所述平坦表面的边缘朝所述支持体延伸、到达所述开口的侧壁的倾斜表面。所述电极焊盘的焊盘主体和包括配线的绝缘层形成于所述调整层上。蚀刻所述支持体和调整层以露出所述焊盘主体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种配线基板以及制造配线基板的方法。
技术介绍
配线基板包括一个置有绝缘层的表面。所述绝缘层包括一个开口。在该开口中形成一个电极焊盘(electrode pad)。例如，日本专利公开号2007-13092描述了一种具有形成于开口内的电极焊盘的配线基板，所述开口具有方形的截面，并从绝缘层的表面延伸。所述开口具有深度，所述电极焊盘的厚度比所述开口的深度小。在所述配线基板中，所述绝缘层的表面的位置是从所述电极焊盘的表面向外。因而，当LSI (大规模集成电路)的接线端子焊在并联接在所述电极焊盘上时，避免了焊料流到相邻的电极。这样抑制了短路。配线基板的制造方法如下。首先，在支持体上形成阻焊膜(solder resist)。所述阻焊膜包括用来形成电极焊盘的开口。然后，在所述开口中形成调整层，以调整所述电极焊盘的高度。所述调整层的横截面为四方形并具有厚度。所述调整层的厚度小于所述阻焊膜上的开口的深度。在所述支持体上形成覆盖所述电极焊盘的绝缘层。在所述绝缘层中与所述电极焊盘对应的位置处形成通路(via)。在所述绝缘层上形成与所述通路对应的图案配线。然后，在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述图案配线的阻焊膜。进而，在所述阻焊膜中形成一个开口，露出所述图案配线的一部分。进行湿式蚀刻将所述支持体和所述调整层除去。这样露出所述电极焊盘的表面，得到一个绝缘层(阻焊膜)的表面位于从电极焊盘的表面朝外的配线基板。在日本公开专利号2007-13092的电极焊盘中，用湿式蚀刻除去支持体60和调整层61，如图7(a)所示。这样会蚀刻掉电极焊盘62的外围部分，也就是，通向绝缘层63的界面，如图7(b)所示。在这种情况下，在电极焊盘62的外围部分和绝缘层63之间形成凹槽。 结果是，电极焊盘62和绝缘层63易从所述凹槽处分层或者裂开。本专利技术的目的是提供一种配线基板及其制造方法，防止在绝缘层和电极焊盘之间的界面附近出现分层。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是提供一种制造具有电极焊盘的配线基板的方法。该方法包括在支持体上形成抗蚀膜。该抗蚀膜包括在与所述配线基板的电极焊盘的形成之处相对应的位置处形成的开口。所述方法进一步包括，在所述支持体上所述抗蚀膜的开口中形成调整层。该调整层包括基本上平行于所述支持体的第一平坦表面，以及从所述第一平坦表面的边缘朝所述开口的侧壁延伸的第一倾斜表面。所述方法还包括在所述调整层上形成所述电极焊盘。该电极焊盘包括外围部分以及中央部分，所述外围部分包括与所述调整层的第一倾斜表面相对应的第二倾斜表面，所述中央部分包括与所述调整层的第一平坦表面相对应的第二平坦表面，所述中央部分从所述外围部分凹下。进而，所述方法包括在所述支持体上形成绝缘层以及在该绝缘层上形成配线层。该配线层电联接到所述电极焊盘。另外，所述方法包括除去所述支持体和所述调整层。根据上述的制造配线基板的方法，当蚀刻所述调整层时，即使是要蚀刻所述电极焊盘的外围部分，所述突出的外围部分的末梢端变成圆形(rounded)。这样抑制了在所述电极焊盘和所述绝缘层之间的界面处的蚀刻。因此，抑制了所述界面处出现分层。本专利技术进一步的方面在于一种包括绝缘层和从该绝缘层暴露出来的电极焊盘的配线基板。所述电极焊盘包括中央部分，该中央部分包括平坦表面和外围部分，所述中央部分从所述外围部分凹下。在所述绝缘层上布置配线层，该配线层电联接到所述电极焊盘。本专利技术的其它方面和优点从下文举例说明本专利技术原理的描述结合附图会变得显而易见。附图说明通过参考接下来对当前优选实施例的描述结合附图会更好地理解本专利技术及其目的和优点，其中图1是显示根据本专利技术一个实施例的配线基板的截面视图；图2是显示在图1的配线基板中的电极焊盘及其周围的截面放大视图；图3(a)至图3(c)和3 (e)是显示用于制造图1的配线基板的过程的截面视图，图 3(d)和3(f)分别是图3(c)和3(e)的放大视图；图4(a)至4(f)是显示用于制造图1的配线基板的过程的截面视图；图5(a)至图5(c)是显示在本专利技术另一个实施例中的表面镀层的截面视图；图6(a)至6(c)是显示在本专利技术另一个实施例中，用于制造具有在调整层上所形成的表面镀层的配线基板的过程的截面视图；以及图7(a)和7(b)是显示现有技术的配线基板的截面视图。具体实施例方式现参考图1至图4来描述本专利技术的一个实施例。图1显示了配线基板10，包括层叠的第一、第二和第三绝缘层20、30和40。在绝缘层20、30和40中分别形成配线21、31和41。绝缘层20、30和40例如是由环氧树脂形成，配线21、31和41是由金属诸如铜形成。在第一绝缘层20内形成通路孔20a。每个第一配线21形成通路21a和配线图案 21b，通路21a形成于每个通路孔20a中，配线图案21b联接到通路21a。每个第二配线31 以与第一配线21相同的方式，形成通路31a和配线图案31b，通路31a形成于第二绝缘层 30的每个通路孔30a中，配线图案31b联接到通路31a。进而，每个第三配线41形成通路 41a和配线图案41b，通路41a形成于第三绝缘层40的每个通路孔40a中，配线图案41b联接到通路41a。第一绝缘层20包括凹部22，其对应于第一配线21。每个凹部22是圆形，直径例如为50至500 μ m。图1至图4的截面视图是沿着延伸穿过凹部22的中心的平面截取的。如图2所示，在第一绝缘层20的每个凹部22中形成电极焊盘23。电极焊盘23包括焊盘主体M和形成于焊盘主体M的表面上的表面镀层25。焊盘主体M是由铜制成。 表面镀层25包括直接形成于焊盘主体M上的镍层25a，以及形成于镍层2 上的金层25b。焊盘主体M的厚度例如为5至25 μ m。镍层2 的厚度例如为0. 005至0. 5 μ m。表面镀层 25不局限于镍层2 和金层2 这样的两层结构。例如，表面镀层25可以具有如图5(a) 所示的包括钯层25c和金层2 的双层结构，如图5 (b)所示的包括镍层25a、钯层25c和金层25b的三层结构，或者如图5(c)所示的包括锡层25d的单层结构。电极焊盘23包括位于电极焊盘23的中央部分的平坦部分沈和从平坦部分沈的边缘突出的突出部分27。平坦部分沈包括第二平坦表面^a，其基本上平行于第一绝缘层 20中的凹部22的底部表面。突出部分27包括第二倾斜表面27a，其朝凹部22的边沿倾斜，并从第二平坦表面26a的边缘延伸到凹部22的侧壁。从凹部22的顶部到第二平坦表面^a的距离Ll例如为10至15 μ m。从凹部22的侧壁到平坦部分沈的边缘的距离L2例如为10至15 μ m。突出部分27的高度L3例如为小于5 μ m。包括平坦部分沈和突出部分27的电极焊盘23与第一绝缘层20内的凹部22的侧壁相接触。因此，与只包括平坦部分的电极焊盘相比，突出部分27增加了与第一绝缘层 20的接触面积。这样改善了电极焊盘23和第一绝缘层20之间的黏着性，抑制了在电极焊盘23和第一绝缘层20之间的界面处的裂开等状况。图2显示的是联接到电极焊盘23的焊球28。电极焊盘23通过焊球28联接到半导体元件焊盘(图中未示)。如上文所描述的，电极焊盘23的外围部分界定了突出部分27。因此，焊球观容易由中央部分(平坦部分26)收纳，所述中本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造包括电极焊盘的配线基板的方法，该方法包括：在支持体上形成抗蚀膜，其中该抗蚀膜包括开口，该开口在与所述配线基板的电极焊盘形成之处对应的位置；在所述支持体上所述抗蚀膜的开口内形成调整层，其中所述调整层包括基本上平行于所述支持体的第一平坦表面，以及从所述第一平坦表面的边缘朝所述开口的侧壁延伸的第一倾斜表面；在所述调整层上形成所述电极焊盘，其中所述电极焊盘包括外围部分和中央部分，所述外围部分包括与所述调整层的第一倾斜表面相对应的第二倾斜表面，所述中央部分包括与所述调整层的第一平坦表面相对应的第二平坦表面，所述中央部分从所述外围部分凹下；在所述支持体上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成配线层，其中所述配线层电联接在所述电极焊盘上；以及除去所述支持体和所述调整层。

【技术特征摘要】
2010.07.08 JP 2010-1557851.一种用于制造包括电极焊盘的配线基板的方法，该方法包括在支持体上形成抗蚀膜，其中该抗蚀膜包括开口，该开口在与所述配线基板的电极焊盘形成之处对应的位置；在所述支持体上所述抗蚀膜的开口内形成调整层，其中所述调整层包括基本上平行于所述支持体的第一平坦表面，以及从所述第一平坦表面的边缘朝所述开口的侧壁延伸的第一倾斜表面；在所述调整层上形成所述电极焊盘，其中所述电极焊盘包括外围部分和中央部分，所述外围部分包括与所述调整层的第一倾斜表面相对应的第二倾斜表面，所述中央部分包括与所述调整层的第一平坦表面相对应的第二平坦表面，所述中央部分从所述外围部分凹下；在所述支持体上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成配线层，其中所述配线层电联接在所述电极焊盘上；以及除去所述支持体和所述调整层。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在除去所述支持体和所述调整层之后，在所述电极焊盘上形成表面镀层。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述电极焊盘包括在所述调整层上形成表面镀层，并在所述表面镀层上形成电极焊盘主体。4.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子健太郎，小谷幸太郎，小林和弘，中村顺一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP