配线基板的制造方法技术

一种配线基板的制造方法，配线基板包括至少一个导体层和至少一个树脂绝缘层，所述方法包括通过利用激光照射树脂绝缘层的表面而在树脂绝缘层中形成配线沟槽的配线沟槽形成步骤，以及以使导体层的至少一部分被埋设在配线沟槽中以在配线沟槽中形成配线层的方式来形成导体层的配线层形成步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，由于大规模集成电路(LSI)的集成度和速度的提高，朝向配线层的数目增加并且配线层结构的微细化程度提高的趋势推进。特别地，为了实现增强逻辑器件中的晶体管特性，主要根据选通脉冲宽度(gate length)减小配线的最小节距(pitch)。因此， 形成微细配线的技术变得主要。作为这样的形成微细配线的技术，不需要蚀刻工艺的镶嵌工艺(damascene process)已经代替Al配线技术中使用的传统的干法蚀刻工艺并且变为主流。镶嵌工艺分类为单镶嵌工艺和双镶嵌工艺。在单镶嵌工艺中，将要形成的配线的沟槽通过蚀刻形成于层间绝缘膜中。作为扩散防止层的金属阻挡层沉积在层间绝缘膜上，随后将Cu膜沉积在金属阻挡层上。然后，通过化学机械研磨(CMP)等将布置在沟槽的上部的Cu膜和金属阻挡层去除并且进行平坦化以由此形成配线。相反，在双镶嵌工艺中，上下配线层之间进行电接触所通过的通路孔与配线沟槽同时形成。通过进行金属阻挡层沉积、Cu膜沉积和每个均进行一次CMP而同时形成配线和通路孔塞(via plug)。重复执行这些步骤，直到获得所需数量的层。结果，能够形成多层配线。如上所述，在镶嵌工艺中，在这两种镶嵌工艺(单镶嵌和双镶嵌工艺)中的任意一种中，都需要形成配线沟槽。传统地，例如，如日本未审专利申请公开2006-49804号公报中所公开的，通过利用诸如二氧化碳激光和YAG激光的点照射来实施点处理，且多次重复执行该点处理，从而形成上述配线沟槽。日本特许4127448号公报公开了一种制造配线基板的方法。在该方法中，利用准分子激光(excimer laser)对配线基板的上表面侧上的最外阻焊层进行表面照射而形成开口部，且通过利用二氧化碳气体激光对配线基板的下表面侧上的阻焊层进行照射而形成较大直径开口部，使得布置在配线基板的下表面侧上的金属端子焊盘的露出区域增大，从而在配线基板和另一个配线基板等的外接端子等之间建立良好的连接。
技术实现思路
然而，在日本未审专利申请公开2006-49804号公报所描述的这种点处理中，难以进行配线沟槽的直线部分和弯曲部分进行加工。因此，在多次执行点处理时，存在诸如由于利用激光多次照射引起的配线沟槽的被加工的边缘部分的形状变化以及深度变化的问题。 结果，形成于配线沟槽中的Cu配线的形状或厚度发生变化，从而导致要形成在配线基板中的Cu配线的阻抗偏离设计值并导致配线基板的制造成品率的恶化。此外，日本特许4127448号公报中的利用激光的表面照射与最外阻焊层中的开口部的形成有关，该开口部的目的是使配线基板与另一个配线基板的外部连接端子连接。另外，日本特许4127448号公报基于这样的前提通过所谓的半加成工艺(SAP)制造配线基板，并且既没有涉及也没有教示通过镶嵌工艺来制造配线基板。因此，可以清楚地理解，该传统技术根本没有考虑如上所述的在多次执行点处理时由于利用激光的多次照射引起的配线沟槽的被加工的边缘部分的形状变化或深度变化。因此，在该传统技术中，没有动机将该传统技术应用到本专利技术中。本专利技术的目的是提供一种通过所谓的镶嵌工艺制造配线基板的方法，该配线基板具有至少一个导体层和至少一个树脂绝缘层，其中，当在树脂绝缘层中形成配线沟槽并且作为配线层的导体层形成于配线沟槽中时，可以抑制配线沟槽的加工形状和加工深度发生变化，从而防止要形成在配线沟槽中的配线层的形状和厚度发生变化，从而可以获得具有设计的阻抗值的配线层并且能够提高配线基板的制造成品率。在本专利技术的第一方面中，提供一种，所述配线基板包括至少一个导体层和至少一个树脂绝缘层，所述方法包括通过利用激光照射所述树脂绝缘层的表面而在所述树脂绝缘层中形成配线沟槽的配线沟槽形成步骤；以及以使所述导体层的至少一部分埋设在所述配线沟槽中以在所述配线沟槽中形成配线层的方式来形成所述导体层的配线层形成步骤。在根据本专利技术的第一方面的中，通过利用激光使用与配线沟槽的形状对应的图案照射树脂绝缘层的表面(即，通过利用激光进行表面照射)在树脂绝缘层中形成配线沟槽，其中，作为导体层的一部分的配线层要形成在所述配线沟槽中。结果，不是通过点处理而是通过表面处理在树脂绝缘层中形成配线沟槽。因此，不发生下述问题在重复多次地执行点处理时由于利用激光多次照射而引起配线沟槽的深度变化。结果，可以抑制形成在配线沟槽中的配线层的形状和厚度发生变化，并且可以抑制导致配线基板的制造成品率恶化的要形成在配线基板中的配线的阻抗偏离设计值。在本专利技术的另一方面中，提供制造配线基板的方法，其中在形成配线沟槽的步骤中，配线沟槽可以被形成为不完全贯通树脂绝缘层。在该方法中，可以获得下述构造要形成的配线能够与下部配线层等电绝缘，并且可以被埋设在树脂绝缘层中。由此，即使在形成微细配线的情况下，也可以防止微细配线从配线基板脱落。另外，在本专利技术的再一个方面中，提供的还包括通过利用二氧化碳气体激光或UV激光照射所述树脂绝缘层而在所述树脂绝缘层中形成通孔的步骤； 以及在所述通孔中形成通路导体的步骤。在该方法中，可以执行通路导体的形成以与下部配线层建立电连接，还可以执行上述的在配线沟槽中形成配线。即，形成通路导体和在配线沟槽中形成配线可以使用类似于双镶嵌工艺的方法来执行。另外，在本法明的又一个方面中，提供，其中，可以在所述通孔形成步骤完成之后执行所述配线沟槽形成步骤，且可以在所述配线沟槽形成步骤完成之后同时执行所述配线层形成步骤和所述通路导体形成步骤。在该方法中，配线的形成和通路导体的形成可以同时进行。在该方法中，使用所谓的双镶嵌工艺制造配线基板。另一方面，在形成通孔的步骤完成之后执行形成配线沟槽的步骤。因此，在树脂绝缘层中形成通孔完成时，可以通过执行利用激光进行表面照射来去除树脂绝缘层的残留在通孔底部的残渣，使得通孔的内部被清洁干净。附图说明图1是当从根据本专利技术的实施方式的配线基板的上侧观察时配线基板的俯视图。图2是当从根据本专利技术的实施方式的配线基板的下侧观察时配线基板的仰视图。图3是图1和图2中示出的配线基板的沿着图1和图2中示出的线I-I截取的一部分的放大剖视图。图4是图1和图2中示出的配线基板的沿着图1和图2中示出的线II-II截取的一部分的放大剖视图。图5是示出根据本实施方式的的步骤的图。图6是示出根据本实施方式的的步骤的图。图7是示出根据本实施方式的的步骤的图。图8是示出根据本实施方式的的步骤的图。图9是示出根据本实施方式的的步骤的图。图10是示出根据本实施方式的的步骤的图。图11是示出根据本实施方式的的步骤的图。图12是示出本实施方式中的通过利用准分子激光进行表面照射而加工的表面沟槽的图。图13是示出本实施方式中的通过利用UV激光进行点照射而加工的表面沟槽的图。图14是示出根据本实施方式的的步骤的图。图15是示出根据本实施方式的的步骤的图。图16是示出根据本实施方式的的步骤的图。图17是示出根据本实施方式的的步骤的图。图18是示出根据本实施方式的的步骤的图。具体实施例方式下面参照附图说明本专利技术的实施方式。首先，说明通过根据本专利技术的实施方式的方法制造的配线基板的结构。下文说明的配线基板仅作为示例而不限于特定的配线基板，只要该配线基板包括至少一个导体层和至少一个树脂绝缘层即可。图1和图2示出根本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种配线基板的制造方法，所述配线基板包括至少一个导体层（Ｍ１，Ｍ１１，Ｍ２，Ｍ１２，Ｍ３，Ｍ１３）和至少一个树脂绝缘层（Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２），所述方法包括：通过利用激光照射所述树脂绝缘层的表面而在所述树脂绝缘层中形成配线沟槽（６ａ）的配线沟槽形成步骤；以及以使所述导体层的至少一部分埋设在所述配线沟槽中以在所述配线沟槽中形成配线层（７ｂ）的方式来形成所述导体层的配线层形成步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村松正树，西尾贤治，肥后一咏，佐藤裕纪，鸟居拓弥，和泉正郎，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP