【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对基板进行吸附保持的基板保持部件。
技术介绍
1、一直以来，在半导体制造装置等中，使用对硅片、玻璃基板等基板进行支撑的基板保持部件。
2、专利文献1公开了一种基板保持装置，具备硅片、卡盘座、真空卡盘、真空泵、真空路径、阀，卡盘座具备真空路径，通过硅片的下表面、真空卡盘的上表面及堤部的内周面和卡盘座的上表面、真空卡盘的下表面、堤部的内周面及堤部的外周面形成了密闭的空间，利用真空泵对这些密闭的空间进行减压，由此对硅片及真空卡盘进行保持。
3、另外，专利文献2公开了一种基板保持装置，在形成了开口于上表面的通气孔的平板状的基体上形成从基体的上表面向上方突出的多个凸部，开口于下表面并与通气孔连通的槽形成于基体，形成有向槽的下方突出的多个凸部。
4、在先技术文献
5、专利文献1：日本特开2003-152060号公报
6、专利文献2：日本特开2017-212343号公报
7、吸附的基板不一定是平面的，有时具有挠曲或翘曲等变形，即使是这样的基板，也需要平坦地吸附。近年来，对于基板的平面度的要求基准不断提高，并且出现了平坦性优异地吸附具有比较大的翘曲的基板的要求，存在改善的余地。
8、然而，在专利文献1和专利文献2所记载的基板保持装置的情况下，有时对于这种基板无法给与充分的吸附力而不充分。
技术实现思路
1、本专利技术鉴于这种情况而完成，其目的在于提供一种即便是具有挠曲或翘曲的基板也能够平坦性优异地吸附
2、(1)为了达成上述的目的，本专利技术的基板保持部件的特征在于，具备：平板状的基体，具有开口于上表面的一个或多个通气孔和与上述通气孔连通并开口于下表面的槽部；多个上表面凸部，从上述基体的上表面向上方突出地形成；及上表面环状凸部，从上述基体的上表面向上方突出，并沿着上述上表面的外周呈环状地形成，上述槽部的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm2以上。
3、这样，通过使槽部的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm2以上，而流路的压力损失减少，基板吸附用的负压力提高，由此即便是具有较大的翘曲的基板也能够平坦性优异地吸附，能够抑制位置偏差等偏差的产生。
4、(2)另外，在本专利技术的基板保持装置中，其特征在于，上述基板保持部件还具备多个第一下表面凸部，上述多个第一下表面凸部从上述槽部的上端面向下方突出地形成。
5、由此，抑制因截面积较大的槽部而基体呈凹状地变形，进而也抑制保持于基体的基板的变形。
6、(3)另外，在本专利技术的基板保持装置中，其特征在于，将上述槽部的宽度设为w，在w/2为1.0mm以上时配置上述第一下表面凸部。
7、这样，通过根据槽部的宽度来决定是否配置第一下表面凸部，能够抑制基体变呈凹状地变形，并且能够充分地降低由形成第一下表面凸部所产生的压力损失的影响。
8、(4)另外，本专利技术的基板保持装置的特征在于，还具备：第一下表面环状凸部，以沿着上述槽部的边缘包围上述槽部的方式从上述基体的下表面向下方突出地形成；第二下表面环状凸部，以包围上述第一下表面环状凸部的方式从上述基体的下表面向下方突出地形成；及多个第二下表面凸部，至少配置于上述第一下表面环状凸部与上述第二下表面环状凸部之间的区域，从上述基体的下表面向下方突出地形成。
9、由此，能够减少基板保持部件与载台之间的接触面积，抑制由微粒等的夹入而引起的平面度的恶化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板保持部件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板保持部件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板保持部件，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中的任一个所述的基板保持部件，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板保持部件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板保持部件，其特征在于，
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：大谷内一彰，中村博行，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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