配线基板及其制造方法技术

提供一种配线基板，其中形成于层叠体的最外层的精确和刚性的坝部牢固地保护配线导体，且配线基板与半导体芯片的连接可靠性优异。构成该配线基板（10）的层叠体（31）包括作为最外层的导体层（24）的多个连接端子部（41）和配线导体（62）。配线导体（62）配置在通过用于倒装芯片地安装半导体芯片（51）的多个连接端子部（41）之间的预定位置。层叠体的最外层的树脂绝缘层（23）具有坝部（63）和增强部（64）。坝部（63）覆盖配线导体（62）。增强部（64）形成在配线导体（62）和邻近配线导体（62）的连接端子部（41）之间，且小于坝部（63）的高度（H3）。增强部（64）与坝部（63）的侧面连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配线基板及其制造方法
本专利技术涉及一种配线基板及其制造方法，该配线基板具有用于倒装芯片（flip-chip）地安装半导体芯片的多个连接端子部。
技术介绍
近年来，用作电脑的微处理器等的半导体集成电路元件（半导体芯片）在速度和其功能上得到了很大的发展，与之相伴地，其端子的数量增加且存在端子之间的节距也变窄的趋势。通常，在半导体芯片的底部配置大量的连接端子，且半导体芯片的各个连接端子连接到形成于配线基板的多个连接端子部，以利用倒装芯片的形式安装半导体芯片。例如，针对沿着芯片底部的外周配置大量的连接端子的外缘型半导体芯片（peripheraltypesemiconductorchip），已经提出了用于倒装芯片的连接的配线基板（例如，参照专利文献1）。在这种配线基板中，与半导体芯片的外形对应的矩形形状的芯片安装区域被设定于基板主面上，且多个连接端子部以诸如沿着芯片安装区域的外周的方式布置。多个连接端子部被设置于带状配线导体的一部分。配线导体本身被设置于基板主面的作为最外层的树脂绝缘层的阻焊层覆盖，且几乎整个配线导体处于未露出的状态。另一方面，每个连接端子部的表面通过设置在阻焊层中的开口向外侧露出。然后，每个露出的连接端子部和半导体芯片侧的连接端子被配置成彼此面对，且它们被构造成通过焊料凸块等彼此电连接。此外，在这种配线基板101中，作为增加端子的数量和缩窄端子之间的节距的一部分，例如在阻焊层102的开口103中，正在尝试将不同的配线导体以通过具有连接端子部104的多个配线导体105之间的方式配置在预定的位置（参见图15）。然而，在配线导体106被配置在具有连接端子部104的配线导体105之间的预定位置的情况下，连接端子部104和配线导体106在距离上变得太近且不再确保相互绝缘的距离。为此，存在在焊料连接时可能发生短路缺陷的可能性。作为针对短路缺陷的措施，必需通过利用一部分阻焊层102（为了方便，将其称为“坝部107”）来覆盖位于开口103中的配线导体106和邻近的连接端子部104，而实现位于开口103中的配线导体106与邻近的连接端子部104的绝缘。这里，将说明图15所示的配线基板101的制造方法。首先，通过在树脂绝缘层108上形成铜镀层并对其蚀刻来形成配线导体105、106。接着，在树脂绝缘层108上施加随后成为阻焊层102的感光树脂绝缘材料以形成覆盖配线导体105、106的树脂绝缘材料层109（参见图16）。接着，光掩膜110被置在树脂绝缘材料层109上且在此状态下紫外线112通过光掩膜110被照射在树脂绝缘材料层109上。然后，紫外线112接触基本位于光掩膜110的光通道部111正下方的区域，且树脂绝缘材料层109中的区域被选择性地曝光。图16中，虚线示出了曝光部113。之后，曝光的树脂绝缘材料层109被显影（参见图17）且通过热或紫外线被固化，并且在露出于表面的配线导体105上进行诸如镀层等的最外层表面处理。结果，完成了具有精确的坝部107的配线基板101（参见图18）。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-14644号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述相关领域的制造方法中，在曝光部113的宽度被设为窄以形成窄宽度的精确的坝部107且在传统通常条件下进行曝光的情况下，紫外线112可能不会充分地到达树脂绝缘材料层109的深层部分（deepportion）。那么，在这种情况下，如图16所示，在曝光部113的底部倾向于容易产生曝光缺陷区域115（未曝光或未充分曝光区域）。因此，如果在传统通常条件下进行显影，则底部的曝光缺陷区域115将被露出，且该部分将变成底切（undercut）114（参见图17等）。如果存在这种底切114，坝部107的强度变小，这将导致剥离等。除此之外，如果在底切114中露出配线导体106，那么容易发生的是：最外层表面处理可能导致配线导体105和106之间的短路缺陷。此外，如图19所示，如果形成于半导体芯片120侧的连接端子121的焊料凸块122滑入底切144，也容易导致这种短路缺陷。阻焊层102越厚，如上所述的阻焊剂曝光时硬化深度的不充分导致的这些问题越显著。为了避免阻焊剂曝光时硬化深度不充分的情况，例如，可构想到诸如利用比传统通常条件大的曝光量进行曝光等的应对措施。那么，通过使用该措施，可能不会产生曝光缺陷区域115，使得不会在图案底部形成底切114（参照图20至23）。然而，在这种情况下，由于紫外线112从光掩膜110的光通道部111发生泄露，最终可能会发生“晕影”，且不仅在位于光通道部111正下方的部分处会容易地曝光而且在该部分的周围区域（参见图20中以113A所示的区域）处也会容易地曝光。因此，坝部107A可能形成为具有比最初意图达到的宽度大的宽度，与之相关地，位于介于中间的端子部104的两侧的坝部107A之间的间隔变窄（参见图21和22）。因此，如果在将半导体芯片120安装于配线基板101时发生移位，即使发生少量移位，半导体芯片120侧的连接端子121以及焊料凸块122也将会接触坝部107A（参见图23）。因此，在这种情况下容易发生不良连接（poorconnection）。此外，还可以构想到另一种应对措施，以被设定为比传统通常条件的显影时间短的显影时间进行显影。利用该措施，即使在留有曝光缺陷区域115的情况下，所述的缺陷部分也不会被显影，因此，不会在图案底部形成底切114（参见图24至26）。然而，在这种情况下，树脂绝缘材料层109将部分地附着到最初应当被显影的部分（例如，连接端子部104的上表面等）并且将被硬化。结果，产生残留的阻焊剂123，且当进行诸如镀层等的最外层表面处理时，这产生了容易形成未镀层部分的缺陷（参见图26）。因此，也容易发生不良连接。因此，即使采用这两种防止底切114用的措施，也难以在配线导体106上稳定地形成精确和刚性的坝部107。鉴于上述问题做出了本专利技术，且本专利技术的目的在于提供一种配线基板，该配线基板的配线导体由形成于层叠体的最外层的精确和刚性的坝部确实地保护，使得实现优异的与半导体芯片的连接可靠性。此外，本专利技术的另一个目的在于提供一种该配线基板的制造方法，使得能够稳固地制造具有优异的与半导体芯片的连接可靠性的上述配线基板。用于解决问题的方案根据用于解决上述问题的手段（手段1），提供一种配线基板，其包括层叠体，在所述层叠体中堆叠一个或多个树脂绝缘层以及一个或多个导体层，其中，所述层叠体的最外层的导体层包括：多个连接端子部，所述多个连接端子部布置于半导体芯片的安装区域，所述多个连接端子部的表面露出而用于倒装芯片地安装所述半导体芯片；和配线导体，所述配线导体配置在所述多个连接端子部之间的预定位置，以及其中所述层叠体的最外层的树脂绝缘层包括：坝部，所述坝部用于覆盖所述配线导体；和增强部，所述增强部形成在所述配线导体和邻近所述配线导体的所述连接端子部之间，所述增强部形成为低于所述坝部的高度，所述增强部与所述坝部的侧面连接。因此，根据手段1中描述的专利技术，当精确的坝部形成为层叠体的最外层的树脂绝缘层的一部分时，增强部与坝部的侧面一体化，导致在坝部的底部增强，该坝部的底部是以传统方式容易形成底切的位置。因此，可以获得精确和刚性的坝部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线基板，其包括层叠体，在所述层叠体中堆叠一个或多个树脂绝缘层以及一个或多个导体层，其中，所述层叠体的最外层的导体层包括：多个连接端子部，所述多个连接端子部布置于半导体芯片的安装区域，所述多个连接端子部的表面露出而用于倒装芯片地安装所述半导体芯片；和配线导体，所述配线导体配置在所述多个连接端子部之间的预定位置，以及其中，所述层叠体的最外层的树脂绝缘层包括：坝部，所述坝部用于覆盖所述配线导体；和增强部，所述增强部形成在所述配线导体和邻近所述配线导体的所述连接端子部之间，所述增强部形成为低于所述坝部的高度，所述增强部与所述坝部的侧面连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.07 JP 2012-2452501.一种配线基板，其包括层叠体，在所述层叠体中堆叠一个或多个树脂绝缘层以及一个或多个导体层，其中，所述层叠体的最外层的导体层包括：多个连接端子部，所述多个连接端子部布置于半导体芯片的安装区域，所述多个连接端子部的表面露出而用于倒装芯片地安装所述半导体芯片；和配线导体，所述配线导体配置在所述多个连接端子部之间的预定位置，以及其中，所述层叠体的最外层的树脂绝缘层包括：坝部，所述坝部用于覆盖所述配线导体；和增强部，所述增强部形成在所述配线导体和邻近所述配线导体的所述连接端子部之间，所述增强部形成为低于所述坝部的高度，所述增强部与所述坝部的侧面连接，所述坝部的角部与连接所述坝部的侧面和所述增强部的连接部都具有曲率，所述坝部的角部的曲率大于所述连接部的曲率。2.根据权利要求1所述的配线基板，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林贵广，永井诚，伊藤达也，森圣二，若园诚，西田智弘，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP