陶瓷基板及其制造方法、静电吸盘、基板固定装置和用于半导体器件的封装件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法、静电吸盘、基板固定装置以及用于半导体器件的封装件。该陶瓷基板包括基体和埋入在基体中的电导体图案。基体由陶瓷制成。电导体图案具有作为主要成分的固溶体，该固溶体具有铜固溶于钨中的体心立方晶格结构。溶于钨中的体心立方晶格结构。溶于钨中的体心立方晶格结构。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基板及其制造方法、静电吸盘、基板固定装置和用于半导体器件的封装件


[0001]本专利技术涉及陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法、静电吸盘、基板固定装置以及用于半导体器件的封装件。

技术介绍

[0002]在现有技术中，在制造半导体器件时使用的成膜装置和等离子体蚀刻装置各自具有用于在真空处理腔中准确保持晶片的台。作为这种台，例如，提出一种基板固定装置，该基板固定装置构造成例如通过安装在底板上的静电吸盘来吸附并且保持晶片。
[0003]静电吸盘由陶瓷基板构成，该陶瓷基板具有基体和埋入在该基体中的静电电极等。静电电极例如是具有以钨为主要成分并且包括氧化镍、氧化铝和二氧化硅的烧结体(例如，参照专利文献1)。
[0004]引文列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP2020
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43336A

技术实现思路

[0007]在上述烧结体中，陶瓷和钨在相同条件下烧结。然而，由于钨具有较高熔点(3300℃以上)，所以难以对钨进行烧结，需要添加适当的烧结助剂。在上述烧结体中，氧化镍、氧化铝和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板，包括：基体；以及电导体图案，其埋入在所述基体中，其中，所述基体由陶瓷制成，并且所述电导体图案具有作为主要成分的固溶体，所述固溶体具有铜固溶于钨中的体心立方晶格结构。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中，所述基体的主要成分是氧化铝。3.根据权利要求2所述的陶瓷基板，其中，所述基体的所述氧化铝的纯度为99.5％以上。4.根据权利要求2所述的陶瓷基板，其中，所述基体相对于氧化铝的相对密度为97％以上。5.根据权利要求2所述的陶瓷基板，其中，所述基体的所述氧化铝的平均粒径为1.0μm以上且3.0μm以下。6.一种用于半导体器件的封装件，包括根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤明，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：