制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成刻蚀目标层和辅助图案；在所述辅助图案的侧壁上形成间隔件；去除所述辅助图案；执行刻蚀工艺以使所述间隔件的上部部分的两个角变成彼此对称；以及使用所述间隔件将所述刻蚀目标层图案化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及一种，更具体而言，涉及一种 制造能够防止图案倾斜现象的半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件包括多个栅图案和金属线。随着半导体器件的高集成度的趋势，图案 的宽度和间距逐渐降低，其中所述图案包括栅图案和金属线。为了在上述提高半导体器件的集成度的同时使具有窄宽度的图案的形成更容易， 已经引入了使用间隔件技术的图案化工艺。参照附图对此进行详细的描述。图IA至图IC是示出的截面图，通过这些图说明在现有制 造方法中的问题。参照图1A，在半导体衬底10之上形成刻蚀目标层12。刻蚀目标层12可以由绝缘 层、导电层(或金属层)或它们的层叠层来形成。例如，在待形成的最终图案是快闪存储器 件的栅图案的情况下，刻蚀目标层12可以通过层叠隧道绝缘层、浮置栅极的第一导电层、 电介质层和控制栅极的第二导电层来形成。在最终图案是金属线的另一个情况下，刻蚀目 标层12可以由金属层来形成。在刻蚀目标层12之上形成具有比最终图案更宽的间距的辅助图案14。为了形成 辅助图案14，顺序地形成辅助层、底部抗反射涂层(BARC)和光致抗蚀剂图案(未示出)，然 后沿着光致抗蚀剂图案执行刻蚀工艺，据本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成刻蚀目标层和辅助图案；在所述辅助图案的侧壁上形成间隔件；去除辅助图案；执行刻蚀工艺以使所述间隔件的上部部分的两个角变成彼此对称；以及使用所述间隔件将刻蚀目标层图案化。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：安明圭，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR