【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于侧墙工艺与Trimming工艺相结合的方法来实现减小纳米线 边缘粗糙度(line edge roughness LER)的方法，属于超大规模集成电路制造
技术介绍
随着大规模集成电路的发展，场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小(Scaling down)，但是，在此过程中工艺制备出的线条边缘粗糙度(LER)却没有随着等比缩小，相反 当器件尺寸进入了亚IOOnm尺度后，这种线条边缘粗糙度LER对器件特性的影响却越来越 严重，例如LER会导致纳米尺度MOS器件载流子迁移率变化、关态漏电流增加、短沟道效应 恶化等。为了改善器件的性能，在现有传统光刻技术条件下，开发减小线条LER工艺是十分 必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于侧墙工艺与Trimming工艺相结合的方法来实现 减小细线条LER的工艺方法。，包括以下步骤(1)在衬底上制备侧墙工艺的支撑层该步骤主要目的是制备出后序氧化硅侧墙的支撑层，该支撑层采用氮化硅薄膜材 料，氮化硅薄膜的厚度决定了最终形成的侧墙的高度。可以通过以下工艺步骤予以实现。a)在衬底上淀积氮化硅薄膜...
【技术保护点】
一种制备细线条的方法，其步骤包括：（１）在衬底上制备侧墙工艺的支撑层，通过以下工艺步骤实现：ａ）在衬底上淀积氮化硅薄膜；ｂ）在氮化硅薄膜上涂光刻胶，光刻定义出将要作为支撑层的区域；ｃ）干法Ｔｒｉｍｍｉｎｇ光刻胶；ｄ）干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到氮化硅薄膜上；ｅ）去掉光刻胶，在衬底材料上制备出氮化硅支撑层；（２）在衬底上制备氧化硅侧墙，该步骤主要包括以下工艺流程：ａ）在衬底材料和作为支撑层的氮化硅薄膜上淀积氧化硅薄膜；ｂ）干法刻蚀工艺刻蚀氧化硅；ｃ）湿法腐蚀氮化硅支撑层；ｄ）湿法Ｔｒｉｍｍｉｎｇ氧化硅侧墙；（３）在衬底材料上实现ＬＥＲ得到明显改善的纳米线条，具体包括如下...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：浦双双，黄如，艾玉杰，郝志华，王润声，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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