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本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了３次Ｔｒｉｍｍｉｎｇ掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了ＬＥＲ（线边缘粗糙度）；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到２０纳米，从而在...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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