【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造硬掩模的方法和硬掩模结构。目前，用于制造小于100nm的形体尺寸的适合的光学光刻法的发展面临相当多的问题，涉及用于所使用的光致抗蚀剂材料的化学性、用在光学光刻法的环境中的掩模的制造、以及所使用的光刻工具的复杂性。已知技术目前是成本非常高的。小于100nm的形体尺寸(100nm以下的结构)的制造已经引起使用波长λ＝193nm的光的光刻法的发展，甚至对于所谓的“65nm”技术节点引起使用波长λ＝157nm的光的光刻法的发展。然而，使用波长λ＝157nm的光的光学光刻法要求新的光致抗蚀剂材料。然而，尽管已经付出相当大的开发努力，但是迄今为止，满足所有技术要求的适合的光致抗蚀剂材料仍未开发出来。并且，在使用波长λ＝157nm的光的光学光刻法的环境中，要求用于制造在光刻法中使用的掩模的新材料和新方法，而对这种新材料和新方法的开发是成本非常高的。另外，对于制造用于157nm的光刻法的掩模，要求新而昂贵的基本设施，例如，要求新的检查工具和新的修理工具。最终，该工具，更确切地说，执行使用波长λ＝157nm的光的光刻法的设备，自身是非常昂贵的，并且要求相...
【技术保护点】
一种用于制造硬掩模的方法，其中光致抗蚀剂层应用于基板上，其中所述光致抗蚀剂层被图案化，其中利用原子层外延方法将硬掩模层应用于所述图案化的光致抗蚀剂层，其中所述硬掩模层的部分被去除，从而暴露所述图案化的光致抗蚀剂层的相应部分，其中所述暴露的图案化的光致抗蚀剂层被去除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：R费尔哈伯，H特维斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[]
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