【技术实现步骤摘要】
本专利技术尤其涉及，包含根据晶粒结构制造并且是导电 的多个导电结构的集成电路装置。具体地影响由铜或铜合金制成的导电结构。
技术介绍
随着最小特征尺寸减小，在半导体技术中可以观察到热处理时间不断缩短的趋势。热处理操作的总时间和单个热处理步骤的持续时间都缩短，这是因为在小尺寸下，即使热处理操作时间短，材料缺陷的充分退火或者充分的晶粒形成也已经发生。因此，使用热处理时间为几秒的RTP方法。由铜制成的互连通常覆盖有阻挡材料，其有利地不与铜形成合金并构成用于阻止铜原子外扩散入金属间电介质或衬底的扩散阻挡物。阻挡材料的导电性比铜低。然而，衬料(lining)增加了导电结构抗电迁移的稳定性。可以将导电结构再分成通路和互连。将通路安置在两个互连层之间的绝缘层内并且用于不同层次互连间的垂直电流传输。具有通路的绝缘层又用于电容性退耦不同层次的互连。
技术实现思路
本专利技术的目的是说明集成电路装置，其构造简单并易生产，并且其导电结构尤其由于减小的电迁移趋势而具有高载流能力。而且，本专利技术说明了生产此类电路装置的方法。本专利技术基于这样的洞识，与以前的热处理时间相比至少两或三倍长的热处...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：O奥贝尔，W哈塞，M霍默尔，H科纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：
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