形成半导体器件的精细图案的方法技术

本发明专利技术公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，该方法包括在半导体基板的单元区域中形成线型牺牲膜图案，并且同时在半导体基板的外围区域中形成垫图案，在牺牲膜图案和垫图案的每一者的侧壁上形成间隔物，在间隔物的侧壁上形成间隙填充层，从而在单元区域中形成包括牺牲膜图案和间隙填充层在内的线距型图案，并且以规则的间距分开单元区域的线距型图案，并同时蚀刻外围区域的垫图案，从而在外围区域中形成特定的图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地说，涉及包括间隔物图 案化工序在内的。
技术介绍
最近，随着半导体器件的集成度增加，芯片总面积与存储容量的增加成比例地增 加，但是实际形成有存储单元(cell，又称为晶胞)密集图案的单元区域的面积减小了。为 了获得存储器件的期望容量，必须在有限的单元区域内形成更多图案。因此，图案的临界尺 寸逐渐减小并且图案变得更加精细。为了形成具有上述精细临界尺寸的图案，需要开发光 刻工序。在基板上涂覆光阻剂(photoresist，又称为光刻胶或光致抗蚀剂)，利用波长为 例如365nm、248nm、193nm和153nm的光源并利用限定有精细图案的曝光掩模对光阻剂执行 曝光工序，然后执行显影工序，通过上述步骤而利用光刻工序来形成限定精细图案的光阻 剂图案。这种光刻工序的分辨率R由公式R = klX λ /NA来确定，其中“ λ ”是光源的波长， “ΝΑ”是数值孔径(numerical aperture)，并且“kl ”表示工序常数。因为工序常数具有物 理极限，所以难以以普通的方式减小工序常数的值。因此，必须开发对短波长光源具有高反 应性的新光阻剂材料、以及使用短波长的曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在所述半导体基板上形成目标层；在所述半导体基板的单元区域中的所述目标层上形成第一牺牲膜图案并且在所述半导体基板的外围区域中形成第二牺牲膜图案；在所述第一牺牲膜图案和所述第二牺牲膜图案的第一侧壁和第二侧壁上形成间隔物；在相邻间隔物之间形成间隙填充图案；移除所述间隔物的位于所述第一牺牲膜图案和所述间隙填充图案之间的部分，并且移除所述间隔物的位于所述第二牺牲膜图案与所述间隙填充图案之间的部分；以及使用所述第一牺牲膜图案和所述间隙填充图案作为蚀刻掩模将所述目标层图案化，以形成目标图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李基领，朴沙路汉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]