形成半导体器件的精细图案的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明专利技术提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：　在衬底上形成多个第一掩模图案，使得所述多个第一掩模图案沿平行于所述衬底的主表面的方向分别以第一间隔彼此相等地分隔；　在所述多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上形成包括酸源的盖 膜；　在所述盖膜上形成第二掩模层以便填充所述第一间隔；　通过将从所述盖膜的所述酸源获得的酸扩散到所述第二掩模层中，形成从所述盖膜延伸到所述第二掩模层的多个酸扩散区；以及　形成多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案对应于去除 所述第二掩模层的所述酸扩散区后保留在所述第一间隔中的所述第二掩模层的残余部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜律，李昔柱，李重泫，李时镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]