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本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成刻蚀目标层和辅助图案；在所述辅助图案的侧壁上形成间隔件；去除所述辅助图案；执行刻蚀工艺以使所述间隔件的上部部分的两个角变成彼此对称；以及使用所述间隔件将所述刻蚀目标层图案...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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