一种晶片承载装置，该晶片承载装置包括至少一支撑杆及多个分隔板。该支撑杆具有一多重弧形抵持部；所述多个分隔板连接于该多重弧形抵持部，并且彼此平行及间隔布置。该晶片承载装置通过使晶片与多重弧形抵持部之间维持固定的接触面积，可有效降低多重弧形抵持部（或支撑杆）与晶片之间的接触应力，故可大幅减少晶片承载装置的碎屑的产生，并可避免晶粒上的布线因应力的存在而断线，进而可提升晶片的整体制造合格率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶片承载(晶舟)装置，特别是涉及一种用于承载及输送 晶片的晶片承载装置。
技术介绍
一般来说，在半导体制造过程中，晶片的输送通常是通过晶片承载装置(cassette)来完成。.也就是说，多个晶片可由一晶片承载装置所承载，并且由 该晶片承载装置输送至预定的制造设备或目的地来进行后续的制造加工。请参阅图1A及图1B， 一传统的晶片承载装置1通常是由PP或PEEK 或其他材料所制成，并且其主要包括有两个相对的支撑杆11及多个分隔板 12。多个分隔板12分别连接于两个支撑杆11，并且多个分隔板12彼此平行 及间隔布置。当晶片承载装置1承载多个晶片(未显示)时，多个晶片即是由 多个分隔板12所隔开，并且多个晶片同时由两个支撑杆11所支撑。如图1B所示，由于两个支撑杆ll具有条状的构造，故晶片与两个支撑 杆11之间仅为线接触的形式。更详细的来说，当一晶片W自晶片承载装置 1的上方垂直且具有重力地置入时，如图2所示，晶片W会与条状构造的两 个支撑杆11发生线接触形式的碰撞(如图2的区域A所示)。在此，由于晶片 W的硬度大于由PP或PEEK所制成的两个支撑杆11的硬度以及晶片W与 条状构造的两个支撑杆11之间会因接触面积较小而产生较大的接触应力(例 如，经实验量测为16.943kgw/mm2)，故支撑杆11会易于因碰撞磨损而产生 晶片承载装置的碎屑(particles)。接着，在晶片承载装置1连同多个晶片一起 被输送时，来自于支撑杆11的晶片承载装置的碎屑往往会掉落至晶片的表 面上或制造设备上，因而会造成晶片在后续加工中的损坏不良现象。举例来 说，就晶片承载装置的碎屑掉落至晶片的上表面而言，在晶片上的晶粒(die) 进行曝光处理后，其表面上的部分布线会因晶片承载装置的碎屑的存在而产 生阻挡光线曝光的现象，因而会造成晶粒的图形曝光不良。在另一方面，就晶片承载装置的碎屑掉落至晶片的下表面而言，在晶片的下表面被吸附在一平坦晶片夹盘(wafer chuck)上以进行曝光处理时，晶片承载装置碎屑的存在 会使得晶片上的曝光区域突起，因而会造成被曝光区域失焦(local defocus)现 象，进而也会使得晶粒表面上的部分图形因失焦而发生不良失效。此外，在晶片W与条状构造的两个支撑杆11之间所产生的较大接触应 力还会进一步地传递至晶片W的中心及其他部位，故其晶粒上的布线也会 因应力的存在而断线，因而同样会造成晶粒不良失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是要提供一种晶片承载装置，其可利用一特殊 多重弧形抵持部来支撑晶片，以有效降低抵持部与晶片之间的接触应力，因而可大幅减少晶片承载装置的碎屑的产生，进而可提升晶片的整体制造合格率。本专利技术基本上采用如下所详述的特征以解决上述的问题。也就是说，本 专利技术适用于承载及输送一或多个晶片，并且包括至少一支撑杆，其上具有 一多重弧形抵持部；以及多个分隔板，其连接于该多重弧形抵持部，并且所 述分隔板彼此平行及间隔布置。同时，根据本专利技术的晶片承载装置，该多重弧形抵持部具有一第一弧面、 一第二弧面及一第三弧面，并且该第二弧面连接于该第一弧面与该第三弧面 之间。又并且，在本专利技术中，该第二弧面的曲率方向与该第一弧面的曲率方向 相反，该第三弧面的曲率方向与该第一弧面的曲率方向相同。再者，在本专利技术中，该第一弧面、该第二弧面及该第三弧面分别由多个 圆弧曲面所构成。本专利技术的晶片承载装置通过使晶片与多重弧形抵持部之间维持固定的 接触面积，可有效降低多重弧形抵持部(或支撑杆)与晶片之间的接触应力， 故可大幅减少晶片承载装置的碎屑的产生，并可避免晶粒上的布线因应力的 存在而断线，进而可提升晶片的整体制造合格率。附图说明为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出优选实 施例并配合附图做详细说明。图1A是显示一传统的晶片承载装置的立体示意图IB是显示根据图1A的晶片承载装置的俯视示意图2是显示传统的晶片承载装置承载一晶片的局部剖面及侧视示意图3A是显示本专利技术的一实施例的晶片承载装置的立体示意图3B是显示根据图3A的晶片承载装置的俯视示意图4是显示本专利技术的一实施例的晶片承载装置的局部剖面及侧视示意 图；以及图5是显示本专利技术的一实施例的晶片承载装置承载一晶片的局部剖面及 侧视示意图其中，附图标记说明如下:1 晶片承载装置12、 120 分隔板；111 多重弧形抵持部；111b 第二弧面；W 晶片；11、 110 支撑杆； 100 晶片承载装置；111a 第一弧面；111C 第三弧面； A、 B 区域具体实施例方式以下配合附图说明本专利技术的优选实施例。请参阅图3A及图3B，本实施例的晶片承载装置100可以是由PP或 PEEK等材料所制成，并且其主要包括有两个相对的支撑杆110及多个分隔 板120。如图3B所示，每一个支撑杆110具有一多重弧形抵持部111。更详细 的来说，如图4所示，每一个多重弧形抵持部lll具有一第一弧面llla、 一 第二弧面11 lb及一第三弧面11 lc，第二弧面11 lb连接于第一弧面11 la与 第三弧面lllc之间。特别的是，第二弧面lllb的曲率方向与第一弧面llla 的曲率方向相反，而第三弧面lllc的曲率方向与第一弧面llla的曲率方向 相同。在本实施例之中，第一弧面llla、第二弧面lllb及第三弧面lllc的 形状是以有限元分析法(fmite element method)来进行分析设计，而分别是由多个微小的圆弧曲面(未显示)所构成的。仍如图3B所示，多个分隔板120是分别连接于(两个支撑杆110的)两个 多重弧形抵持部lll，并且多个分隔板120彼此平行及间隔布置。当晶片承 载装置100承载多个晶片(未显示)时，多个晶片即是由多个分隔板120所隔 开，并且多个晶片是同时由(两个支撑杆110的)两个多重弧形抵持部111所支撑的。如上所述，由于(支撑杆110的)多重弧形抵持部111的特殊设计，晶片 与多重弧形抵持部lll之间的接触为面接触的形式。更详细的来说，当一晶 片W自晶片承载装置100的上方垂直置入时，如图5所示，晶片W会与两 个多重弧形抵持部111发生大面积的接触(如图5的区域B所示)。特别的是， 多重弧形抵持部111具有第一弧面11 la、第二弧面11 lb及第三弧面11 lc的 设计是为了要使晶片W与多重弧形抵持部111之间能维持固定的接触面积 (例如，经实验分析最佳接触受力面积为13mmx0.75mm)，如此即可避免晶片 W在与多重弧形抵持部111接触的过程中受到较大的应力作用。如上所述， 由于晶片W与多重弧形抵持部111之间会因接触面积的增大而产生较小的 接触应力(例如，经实验量测为13.617kgw/mm2)，但是过大的接触面积将会 使晶片所受的应力增加(例如，经实验量测最佳接触面积为13mmx0.75mm， 此时晶片所受的应力最小)，故在合适的接触面积下，即使晶片W的硬度大 于由PP或PEEK所制成的多重弧形抵持部111的硬度，多重弧形抵持部111 也不易于因碰撞磨损而产生碎屑(particles)。因此，在晶片承载装置100连同 多个晶片一起被输送时，来自于多重弧形抵持部111的晶片承载装置的碎屑 的数量即会大幅减少，因而可有效本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片承载装置，包括： 至少一支撑杆，其具有一多重弧形抵持部；以及 多个分隔板，连接于该多重弧形抵持部，并且所述多个分隔板彼此平行及间隔布置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭养国，邓国星，李晨钟，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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