晶片承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术晶片承载装置由四个面所组成的矩形容置空间，矩形容置空间具有一上开口及一相对的下开口，矩形容置空间的一对相对面是由多个间隔地排列并相对地对齐的肋所形成，与此对相对面相连接的一侧边为一第一封闭面，而与此对相对面相连接的另一侧边则形成一Ｈ形连接结构，其中，在这些肋的终端区域的外侧面上形成一宽度的第二封闭面，故当每一晶片由上开口置入矩形容置空间后，其第二封闭面可增加晶片置入晶片承载装置的接触面积，以减缓或分散晶片与晶片承载装置接触面的碰撞而产生的撞击应力，有效避免晶片受到损坏或碎裂。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶片承载装置，特别是涉及一种提高与晶片 接触面积的晶片承载装置，用以减缓或分散晶片与晶片承载装置接触 面的碰撞而产生的撞击应力，并可减少尘粒产生。
技术介绍
半导体晶片在制造程序中会有许多的程序或步骤，而晶片则会因 这些程序或步骤，需要置放于不同的位置以及不同的机器中，因此于 制程中晶片必须从一处运送至另一处，甚至必须储存一段时间，以配合必要的制程。其中，晶片承载装置(Cassette)同时具备操作、储存及 运送功能，并且需适用于各种型式的运输及传送装置，因此在半导体 晶片在制造程序中扮演了极为重要的角色。早期的晶片承载装置是采用塑料材质所制成，其中最常为使用的 就是PP塑料，然而PP材质所制成的晶片承载装置却又最容易出现释 气作用(outgassing)以及尘粒(particle)等问题，而这些问题当中，又以 尘粒(particle)问题最为严重，此外，当晶片置入晶片承载装置时，晶 片与晶片承载装置的间常会有碰撞产生，而当其接触面积较小时，因 碰撞而产生的撞击应力为最大，容易导致晶片因碰撞而受到损坏或碎 裂，因此同时解决尘粒(particle)问题以及撞击应力问题，为当务之急。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的主要目的在于提供一种晶片承 载装置，其第二封闭面可增加晶片置入晶片承载装置的接触面积，以 减缓或分散晶片与晶片承载装置接触面的碰撞而产生的撞击应力，有 效避免晶片受到损坏或碎裂。本技术的另一主要目的在于提供一种晶片承载装置，其以一3体成型方式形成，可具有较为简易的制造方式，可降低制程复杂度与 制造成本。本技术的又一主要目的在于提供一种晶片承载装置，其第二 封闭面为一耐磨损材料，故可减少晶片与其第二封闭面接触所产生的 尘粒，避免晶片受到污染。依据上述目的，本技术提供一种具有封闭面的晶片承载装 置。此晶片承载装置由四个面所组成的矩形容置空间，矩形容置空间 具有一上开口及一相对的下开口，矩形容置空间的一对相对面是由多 个间隔地排列并相对地对齐的肋所形成，与此对相对面相连接的一侧 边为一第一封闭面，而与此对相对面相连接的另一侧边则形成一H形 连接结构，其中，在这些肋的终端区域的外侧面上形成一宽度的第二 封闭面，故当每一晶片由上开口置入矩形容置空间后，该晶片与该第 二封闭面接触并固设于该下开口之上。本技术的有益效果其第二封闭面可增加晶片置入晶片承载 装置的接触面积，以减缓或分散晶片与晶片承载装置接触面的碰撞而 产生的撞击应力，有效避免晶片受到损坏或碎裂，同时解决尘粒问题以及撞击应力的产生，此外，利用PEEK(聚醚醚酮)这种耐磨材质取 代原本的PP材质，因此即可同时解决尘粒(particle)问题以及释气作 用(outgassing)的产生。附图说明图1为晶片承载装置的等角视图。 图2为晶片承载装置的侧视图。 图3为于晶片承载装置中置入一晶片的示意图。 主要元件符号说明I 晶片承载装置II 上开口12 下开口13 肋 131 下半部132 垂直断面133 第二封闭面14 第一封闭面15 H形连接结构 2 晶片具体实施方式由于本技术揭露一种晶片承载装置，特别是一种具有封闭面 的晶片承载装置，由此增加晶片与晶片承载装置的接触面积，以有效 地减缓晶片碰撞时产生的撞击应力。由于，本技术所利用到的一 些晶片或晶片承载装置的详细制造或处理过程，是利用现有技术来达 成，故在下述说明中，并不作完整描述。而且下述内文中的附图，亦 并未依据实际的相关尺寸完整绘制，其作用仅在表达与本技术特 征有关的示意图。首先，请参考图1，其根据本技术的晶片承载装置的一较佳 实施例示意图。如图1所示，晶片承载装置1由四个面所组成的矩形 容置空间，且此矩形容置空间具有一上开口 ll及一相对的下开口 12， 矩形容置空间的一对相对面是由多个间隔地排列并相对地对齐的肋 13所形成，而此对相对面的下半部131以一曲率向内弯折并在多个肋13的终端形成垂直断面132，使得矩形容置空间的上开口 11的开 口大于下开口 12，而与此对相对面相连接的一侧边为一第一封闭面 14，而与此对相对面相连接的另一侧边则形成一 H形连接结构15， 其中此晶片承载装置1的特征在于，在这些肋13的终端区域的外侧 面上形成一宽度的第二封闭面133(如图2所示)，故当每一晶片2由 上开口 11置入矩形容置空间后，晶片2与第二封闭面133接触并卡 固于下开口 12之上(如图3所示)。承上所述，本技术提供一晶片承载装置制作方式的一较佳实 施例，此晶片承载装置1及其第二封闭面133是以一体成型方式所形 成， 一体成型的材质为一高分子塑料材料，因此具有较为简易的制造 方式，可降低制程复杂度与制造成本。本技术提供一晶片承载装置制作方式的另一较佳实施例，即 当晶片承载装置1以一体成型方式成型后，另于晶片承载装置1的多 个肋13的终端的外侧上附加一第二封闭面133，用以增加晶片承载 装置与晶片的接触面积。因此晶片承载装置1的材料可为高分子塑料 材料，而第二封闭面133的材质则为一耐磨损材料，其中，此耐磨损5材料为PEEK(聚醚醚酮)材质，故可减少晶片与其第二封闭面接触所产生的尘粒，避免晶片受到污染。又，晶片承载装置1的第二封闭面133的宽度为约10mm 30mm， 如此可以有效地增加晶片置入晶片承载装置的接触面积，并且此宽度 愈宽时，其与晶片的接触面积就愈大，如图3所示。因此当晶片2由上开口 11置入矩形容置空间时，可减缓或分散晶片与晶片承载装置 接触面的碰撞而产生的撞击应力，有效避免晶片受到损坏或碎裂。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非用以限定本实用新 型的权利要求范围；同时以上的描述，对于熟知本
的专门人 士应可明了及实施，因此其它未脱离本技术所揭示的精神下所完 成的等效改变或修饰，均应包含在权利要求的范围中。权利要求1、一种晶片承载装置，由四个面所组成的矩形容置空间且该矩形容置空间具有一上开口及一相对的下开口，该矩形容置空间的一对相对面由多个间隔地排列并相对地对齐的肋所形成，且该对相对面的下半部以一曲率向内弯折并在该多个肋的终端形成垂直断面，使得该矩形容置空间的该上开口的开口大于该下开口，而与该对相对面相连接的一侧边为一第一封闭面，而与该对相对面相连接的另一侧边则形成一H形连接结构，其中该晶片承载装置的特征在于在所述肋的终端区域的外侧面上形成具有一宽度的第二封闭面，当每一晶片由该上开口置入该矩形容置空间后，该晶片与该第二封闭面接触并固设于该下开口之上。2、 如权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，是以一体 成型方式所形成。3、 如权利要求2所述的晶片承载装置，其特征在于， 一体成型 的材质为一高分子塑料材料。4、 如权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，该晶片承 载装置中的该第二封闭面的材质为一耐磨损材料。5、 如权利要求4所述的晶片承载装置，其特征在于，该耐磨损 材料为PEEK材质。6、 如权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，该晶片承 载装置中的该第二封闭面的宽度可以自下列范围中选出 10mm 30mm。专利摘要本技术晶片承载装置由四个面所组成的矩形容置空间，矩形容置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片承载装置，由四个面所组成的矩形容置空间且该矩形容置空间具有一上开口及一相对的下开口，该矩形容置空间的一对相对面由多个间隔地排列并相对地对齐的肋所形成，且该对相对面的下半部以一曲率向内弯折并在该多个肋的终端形成垂直断面，使得该矩形容置空间的该上开口的开口大于该下开口，而与该对相对面相连接的一侧边为一第一封闭面，而与该对相对面相连接的另一侧边则形成一Ｈ形连接结构，其中该晶片承载装置的特征在于：　在所述肋的终端区域的外侧面上形成具有一宽度的第二封闭面，当每一晶片由该上 开口置入该矩形容置空间后，该晶片与该第二封闭面接触并固设于该下开口之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志铭，吕保仪，
申请(专利权)人：家登精密工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]