具有横向达通二极管的网络薄膜集成电路结构与制造方法技术

本发明专利技术公开一种具有横向达通二极管的电阻（Ｒ）－电容（Ｃ）－二极管（Ｄ）网络薄膜集成电路结构及制作，采用普通硅片（Ｐ）制作具有高导电层和过冲电压保护的网络薄膜集成电路，不采用硅外延或外延工艺，并且缩短工艺流程，降低集成电路制造成本。本发明专利技术中硼扩散形成的Ｐ↑［＋］（１１）区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管（Ｄ）的“基区”和电容（Ｃ）的下电极，磷扩散形成的Ｎ↑［＋］（２２）是横向“达通”二极管的“发射区”。Ｐ↑［＋］区和Ｎ↑［＋］区之间Ｗ区是横向“达通”二极管反向偏压时的达通区。采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的ＳｉＯ↓［２］和Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］绝缘电介质层（３１），它也是电容（Ｃ）的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻（Ｒ）（３２）和电容（Ｃ）（３３）的掺磷多晶硅层。金属铝层作为金属化层，光刻后，形成电路内互连线，压点区铝层（４３）和接地区（Ｇ）的压焊点。沉积掺磷ＳｉＯ↓［２］（３４）形成芯片钝化层，光刻出压焊点（４３）和接地点（Ｇ）制成芯片。

【技术实现步骤摘要】
方法
本专利技术是属于微电子集成电路半导体器件
，是关于无源元件电阻(R)、电容(C)、二极管(D)网络，采用半导体薄膜技术，制造成“RCD”网络薄膜集成电路。
技术介绍
在各种电子信息产品中，无源元件数量占所有元器件数的90％以上，特别是在当今的便携、无线电子产品的手机，数码相机，计算机等一类的数字化产品中，无源元件所占比例更大。它们占据整机印刷电路板面积大，焊点多，增大整机产品的生产费用和降低可靠性。在电子信息整机产品日益满足高频、高速、多功能、高性能、高可靠、低成本、短小轻薄、玲巧便携等市场需求推动下，数量众多的无源元件的小型化、微型化已不能满足整机发展要求，提出了无源元件集成化的要求。一般的电阻—电容(RC)网络，由几个甚至几十个数量相同的电阻、电容相连在一个公共接地基线上，由直流电源供电，电阻—电容串联，另外还有二极管与串联的电阻—电容并联，形成电阻—电容—二极管(RCD)网络。这种RC和RCD网络采用半导体薄膜制造技术，制作在硅基片上。电阻材料采用掺杂多晶硅，利用SiO2、Si3N4等电介质制作电容，采用半导体器件制作技术制造二极管，制成RC和RCD网络薄膜集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有横向达通二极管的电阻（Ｒ）－电容（Ｃ）－二极管（Ｄ）网络薄膜集成电路结构，共有数值相同的４×Ｎ（Ｎ为正整数）个电阻器和４×Ｎ个电容器Ｃｉ（ｉ＝１，２………１６），以及４×Ｎ个二极管Ｄｉ（ｉ＝１，２………１６），以及Ｎ个接地点Ｇｉ（ｉ＝１，２，３，４）；串联的电阻－电容，并联上二极管；电容的一个电极及与之相连的二极管阳极（基区）与地相连；电容的另一个电极板与电阻器一端相连，电阻器另一端与二极管阴极（发射区）相连，共同形成一个与外电路连接的连接点Ｐｉ（ｉ＝１，２………１６）；每４个电阻－电容－二极管组合，结构相对于对称线ＣＬ１和ＣＬ２成对称分布，经复制，可以得到１６个电阻－电容－二极管组合...

【技术特征摘要】
1.一种具有横向达通二极管的电阻(R)-电容(C)-二极管(D)网络薄膜集成电路结构，共有数值相同的4×N(N为正整数)个电阻器和4×N个电容器Ci(i＝1，2………16)，以及4×N个二极管Di(i＝1，2………16)，以及N个接地点Gi(i＝1，2，3，4)；串联的电阻-电容，并联上二极管；电容的一个电极及与之相连的二极管阳极(基区)与地相连；电容的另一个电极板与电阻器一端相连，电阻器另一端与二极管阴极(发射区)相连，共同形成一个与外电路连接的连接点Pi(i＝1，2………16)；每4个电阻-电容-二极管组合，结构相对于对称线CL1和CL2成对称分布，经复制，可以得到16个电阻-电容-二极管组合及4个接地点Gi(i＝1，2，3，4)；其特征在于利用普通电阻率硅片，制造横向达通击穿交叉脂状结构二极管，硼扩散形成的P+(11)区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管(D)的“基区”和电容(C)的下电极，磷扩散形成的N+(22)是横向“达通”二极管的“发射区”；P+区和N+区之间W区是横向“达通“二极管反向偏压时的达通区；采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的SiO2和Si3N4绝缘电介质层(31)，是电容(C)的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻(R)(32)和电容(C)(33)的掺磷多晶硅层；金属铝层作为金属化层，光刻形成电路内互连线，压点区铝层(43)和接地区(G)的压焊点；沉积掺磷SiO2(34)形成芯片钝化层，光刻出压焊点(43)和接地点(G)。2.如权利要求1所述一种具有横向达通二极管的电阻(R)-电容(C)-二极管(D)网络薄膜集成电路的制作，用同一掺杂多晶硅薄膜制作电阻和电容极板，采用普通硅片；本发明网络薄膜集成电路制作第一步，采用普通P型硅片，硅片直径不限，经过高温氧化后，光刻出进行硼扩散的区域，此区域是硅表面的高导电层，同时光刻留下具有一定齿距的齿条状二氧化硅层区，保护不被硼扩散，该区域为横向达通二极管的“基区”，同时是电容的下电极；第二步，硼扩后的硅片，再经氧化，并光刻出横向达通二极管的“发射区”，该区图形仍为具有一定齿距的齿条状，这个齿条是插在上述“基区”齿条之内，形成叉脂状结构，“基区”齿条和“发射区”齿条的间距满足对横向达通二极管击穿电压要求；第三步，二极管“发射区”磷扩散，制成横向达通二极管；第四步，去掉硅片上二氧化硅层，以便按电容制造要求生长电介质层；第五步，在硅片上沉积SiO2层和Si3N4层，在电容区上的此复合电介质层构成了网络电容的电介质层；第六步，沉积多晶硅，此多晶硅用来制作电阻元件和电容器的上电极；并用三氯氧磷作为N型杂质掺杂，掺杂浓度使多晶硅电阻温度系数达到最小值＜2×10-4Ω·m/℃；第七步，光刻多晶硅，制出此电路的电阻器和电容器的上电极；第八步，光刻出金属相互引连线区、压焊点及...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振茂，陶盛，孙芳魁，丁峰，李开国，赵晖，金妍，
申请(专利权)人：黑龙江八达通用微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]