双面蚀刻晶片的方法技术

一种双面蚀刻晶片的方法，首先，提供一晶片，该晶片包括至少一旋转轴区与至少二穿透区，且该二穿透区位于该旋转轴区的二侧。接着由该晶片的一底表面去除部分位于该旋转轴区的该晶片。随后将该晶片的底表面利用一粘着层粘贴于一负载载具上，并由该晶片的上表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种利用双面蚀刻制造工艺制作微旋转轴的方法。
技术介绍
微机电(micro electro mechanical system，MEMS)技术为一种高度整合电子电路与机械等的新兴科技，并已广泛地被应用于制作各种具有电子与机械双重特性的元件，例如微感应器、微致动器、微马达与光开关元件等。相较于半导体元件，微机电元件由于常具有特殊的机械结构，因此于制作时若直接利用标准半导体制造工艺，所形成的结构往往精密度不佳，而无法达到微机电元件的要求。其中微旋转轴为微机电元件中常见的结构，且由于旋转轴的形状与表面状态对于旋转轴旋转的可靠性与可承受的应力影响甚巨，因此于制作微旋转轴时对于形状与表面状态的要求特别严格。请参考图1至图3，图1为一微旋转轴10的示意图，而图2与图3为现有制作微旋转轴的方法示意图。如图1所示，微旋转轴10具有一悬吊结构，并可受电压、光线或磁场等的驱动而依图1中的箭号所示的方向旋转，因此微旋转轴10的形状必须极为精确，并具有平滑的表面以及均匀的轴体，方可确保可靠性并达到对应力承受的要求。现有制作微旋转轴10的方法如下所述。如图2所示，首先提供一晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面蚀刻晶片的方法，其包括：提供一晶片，该晶片包括至少一第一区域与至少一第二区域，该第一区域之面积小于该第二区域之面积，且该第二区域部分重叠于该第一区域；进行一第一光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第一表面去除位于该第一区域 的该晶片至一预定深度；将该晶片的该第一表面贴附于一负载载具上；进行一第二光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第二表面去除位于该第二区域但不包含位于该第一区域的该晶片直至蚀穿该晶片。

【技术特征摘要】
1.一种双面蚀刻晶片的方法，其包括提供一晶片，该晶片包括至少一第一区域与至少一第二区域，该第一区域之面积小于该第二区域之面积，且该第二区域部分重叠于该第一区域；进行一第一光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第一表面去除位于该第一区域的该晶片至一预定深度；将该晶片的该第一表面贴附于一负载载具上；进行一第二光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第二表面去除位于该第二区域但不包含位于该第一区域的该晶片直至蚀穿该晶片。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一区域与该第二区域用以定义一微旋转轴结构。3.如权利要求1所述的方法，其中该第一光刻腐蚀制造工艺包括于该晶片的该第一表面形成一第一光致抗蚀剂图案，且该第一光致抗蚀剂图案曝露出该第一区域；由该第一表面蚀刻未被该第一光致抗蚀剂图案覆盖的该晶片至该预定深度，且该预定深度大于后续进行的该第二光刻腐蚀制造工艺的变异量与该晶片厚度的变异量的总和；以及去除该第一光致抗蚀剂图案。4.如权利要求1所述的方法，其中该晶片的该第一表面利用一粘着层贴附于该负载载具上。5.如权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨辰雄，
申请(专利权)人：探微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]