导电结构的图案转移方法技术

一种导电结构的图案转移方法（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ　　ｍｅｔｈｏｄ），首先提供一个半导体衬底，在半导体衬底上形成一个导电层，在导电层上形成一个硬掩膜层（ｈａｒｄ　　ｍａｓｋ　　ｌａｙｅｒ），以及在硬掩膜层上形成一个光刻胶层。以各向同性刻蚀方式移除部分的光刻胶层以形成图案化的光刻胶层。以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层以形成图案化的硬掩膜层。以图案化的硬掩膜层为另一掩膜，移除部分导电层以形成图案化的导电层。其中由于图案化的光刻胶层仅为刻蚀硬掩膜层时所用，因此可使用厚度较薄的光刻胶层，提高了使用光刻胶层时的分辨率，进而减少后续形成图案化导电层的尺寸。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种利用硬掩膜层来分担光刻胶层的图案转移方法。
技术介绍
光刻(Photolithography)是整个半导体工艺中，最举足轻重的步骤之一，通常一个工艺的难易程度，取决于所需经过的光刻次数，或是所需的掩膜数量。此外，整个半导体工业的元件集成度是否能继续往更小的线宽进行也取决于光刻工艺的发展是否顺利。光刻工艺的基本原理，是利用特定波长的入射光，将掩膜上具有的图案转移至半导体结构上的光刻胶，经过显影与刻蚀后，便可在半导体结构上得到所需的元件或结构。光刻胶的优劣，除了与光刻胶的感光能力相关外，好的光刻胶应该还具备良好的附着性、抗刻蚀性、及分辨率。基本上，这几点均与光刻胶是否能完整的进行图案转移有关，不良的附着性或是不佳的抗刻蚀性，都将使光刻胶底下的薄膜在进行选择性刻蚀时，发生图案转移的误差甚至失败。因此，光刻胶的好坏与工艺的成品率和精确度有着非常密切的关系。通常光刻胶的厚度越薄，其分辨率越好，但若从光刻胶的抗刻蚀性及防范杂质侵入的观点来看，其厚度应该要厚一些。举例来说，一般在进行多晶硅的图案转移时，需要较厚的光刻胶，来避免多晶硅刻蚀后光刻胶的过刻蚀(etch本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电结构的图案转移方法，包含：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成一个导电层；在该导电层上形成一个硬掩膜层；在该硬掩膜层上形成一个光刻胶层；以各向同性刻蚀方式移除部分的该光刻胶层以形成图案化的该光刻胶 层；以该图案化的光刻胶层为第一个掩膜，刻蚀该硬掩膜层以形成图案化的该硬掩膜层；及以该图案化的硬掩膜层为第二个掩膜，移除部分该导电层以形成图案化的该导电层。

【技术特征摘要】
1. 一种导电结构的图案转移方法，包含提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成一个导电层；在该导电层上形成一个硬掩膜层；在该硬掩膜层上形成一个光刻胶层；以各向同性刻蚀方式移除部分的该光刻胶层以形成图案化的该光刻胶层；以该图案化的光刻胶层为第一个掩膜，刻蚀该硬掩膜层以形成图案化的该硬掩膜层；及以该图案化的硬掩膜层为第二个掩膜，移除部分该导电层以形成图案化的该导电层。2.根据权利要求1所述的导电结构的图案转移方法，其特征在于在形成图案化的该硬掩膜层后、移除部分该导电层之前，移除该图案化的光刻胶层。3.根据权利要求1所述的导电结构的图案转移方法，其特征在于在移除部分该导电层后移除该图案化的光刻胶层与硬掩膜层。4.根据权利要求1所述的导电结构的图案转移方法，其特征在于在介于该半导体衬底与该导电层之间形成一个绝缘层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金平中，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]