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本发明公开一种具有横向达通二极管的电阻（Ｒ）－电容（Ｃ）－二极管（Ｄ）网络薄膜集成电路结构及制作，采用普通硅片（Ｐ）制作具有高导电层和过冲电压保护的网络薄膜集成电路，不采用硅外延或外延工艺，并且缩短工艺流程，降低集成电路制造成本。本发明中硼...
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