高压驱动集成电路的制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种高压驱动集成电路的制造工艺。该工艺包括衬底材料选择、形成Ｐ型埋层、外延的生长、Ｐ－区域和Ｐ阱区域的形成、Ｐ＋环的形成、第一层多晶的区域选择、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择、第二层多晶与铝线之间介质的选择等步骤，其特点是在Ｐ－区域和Ｐ阱区域的形成之前，对感光底层添加一个热氧化工艺步骤，即以炉管湿氧方式形成热氧化物，且成长温度为９５０＋／－５℃，成长时间为３０ｍｉｎ－１２０ｍｉｎ。该方案避免了边缘芯片所存在的引发故障可能性，有效阻止了其向最终面板的使用者来传递故障，从而避免了面板组装厂芯片在驱动器的区域返回使用过程中有可能出现数据丢失等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路，特别涉及一种高压驱动集成电路的制造工 艺，属于半导体制造

技术介绍
对于高压(HIGH VOLTAGE)的驱动器产品，其所涉及到的指令处理器(CP) 不能消除一些边缘芯片所引发的故障。这些故障很可能会传递给最终面板 的使用者，再者，由于这些问题驱动芯片是由最终面板的用户所使用，可 會^会导致面板使用出现故障。也就是说，它可能导致客户使用的面板组装 厂芯片在驱动器的区域返回使用过程中，出现数据丢失。因此，目前常用 的许多芯片都被认为具有衬底缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种高压驱动 集成电路的制造工艺。本专利技术的目的通过以下技术解决方案来实现 高压驱动集成电路的制造工艺，包括以下步骤 第一、衬底材料选择步骤；第二、形成P型埋层步骤，即在衬底材料形成氧化层，形成P型埋层 的区域；第三、外延的生长步骤，漂光二氧化硅后，生长外延层； 第四、P-区域和P阱区域的形成步骤，生长氧化层经光刻构图；第五、P+环的形成步骤，P阱推进后，进行P环区域的光刻；第六、第一层多晶的区域的选择步骤，在P环推进后，淀积多晶硅且 磷注入，经光刻和刻蚀形成；第七、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择步骤，第一层多晶 刻蚀后，再淀积氧化层，形成栅氧化；第八、第二层多晶与铝线之间介质的选择步骤，淀积第二层多晶，分 别进行P+区域、N+区域、接触 L区域的构图形成。其中第四步骤前对感光底层添加一个热氧化工艺步骤，即以炉管湿 氧方式形成热氧化物，且成长温度为950+/_5°C ，成长时间为30min-120min。本专利技术的目的还可通过以下技术措施皿一步实现上述的高压驱动集成电路的制造工艺，其中，所述的热氧化物的厚度 从100A至5000A。进一步地，上述的高压驱动集成电路的制造工艺，其中，所述的热氧 化物的厚度为1500A至3000A。再进一步地，上述的高压驱动集成电路的制造工艺，其中，所述的热 氧化过程同时结合P阱步骤与N阱步骤。本专利技术的优点在于通过采用提前热氧化，避免了边缘芯片所存在的 引发故障可能性，有效阻止了其向最终面板的使用者来传递故障，也进一 步避免了面板组装厂芯片在驱动器的区域返回使用过程中有可能出现数据 丢失，实施效果良好。本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优先实施例的非限制性说明 进行图示和解释，这些实施例是参照附图仅作为例子给出的。具体实施方式高压驱动集成电路的制造工艺首先是衬底材料选择步骤。在本专利技术中原始硅片衬底可采用P(IOO)晶向，电阻率为25 — 42ohrn * cm的硅抛光 片；然后，采用形成BLP埋层步骤，即在硅衬底上形成氧化层；然后在该 氧化层上涂一层光致抗蚀剂，进行光刻构图，以暴露形成BLP层的区域； 腐蚀暴露区域的二氧化硅，并去除光致抗蚀剂，在进行BLP区域硼注入后， 对其进行推进，在氮气和氧气的气氛下进行。接着是外延的生长步骤，也 就是在漂光二氧化硅后，生长外延层电阻率控制在12ohm * cm 。在上述过程完成后，进入热氧化工艺步骤，即以炉管湿氧方式形成热 氧化物，且成长温度为950+/_5°C，成长时间为30min-120min。所述的热 氧化物根据高压驱动集成电路的需求不同，其厚度可以是从100A至5000A 或者是1500A至3000A。该氧化物作为上隔离注入的阻挡层，然后通过涂附 光致抗蚀剂，进行光刻构图，暴露上隔离区域后去除光致。随后，进入P—区域和P阱PWELL区域的形成。也就是说，漂光二氧 化硅后，生长一层氧化层。涂附光致抗蚀剂，进行光刻构图，暴露P—区域。 然后进行硼注入，注入后再涂附光致抗蚀剂，进行光刻构图，暴露P阱区 域，再进行硼注入，注入后去除光致抗蚀剂、推进。在P环推进后，再进 行磷注入，然后退火。并且，在上述的热氧化过程同时可以结合P阱步骤 与N阱步骤。通过采用提前热氧化，避免了边缘芯片所存在的引发故障可能性，有 效阻止了其向最终面板的使用者来传递故障，也进一步避免了面板组装厂 芯片在驱动器的区域返回使用过程中有可能出现数据丢失，实施效果良好。当然，以上仅是本专利技术的具体应用范例，对本专利技术的保护范围不构成 任何限制。除上述实施例外，本专利技术还可以有其它实施方式。凡采用等同 替换或等效变换形成的技术方案，均落在本专利技术所要求保护的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
高压驱动集成电路的制造工艺，包括以下步骤：第一、衬底材料选择步骤；第二、形成Ｐ型埋层步骤，即在衬底材料形成氧化层，形成Ｐ型埋层的区域；第三、外延的生长步骤，漂光二氧化硅后，生长外延层；第四、Ｐ－区域和Ｐ阱区域的形成步骤，生长氧化层经光刻构图；第五、Ｐ＋环的形成步骤，Ｐ阱推进后，进行Ｐ环区域的光刻；第六、第一层多晶的区域的选择步骤，在Ｐ环推进后，淀积多晶硅且磷注入，经光刻和刻蚀形成；第七、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择步骤，第一层多晶刻蚀后，再淀积氧化层，形成栅氧化；第八、第二层多晶与铝线之间介质的选择步骤，淀积第二层多晶，分别进行Ｐ＋区域、Ｎ＋区域、接触孔区域的构图形成，其特征在于：第四步骤前对感光底层添加一个热氧化工艺步骤，即以炉管湿氧方式形成热氧化物，且成长温度为９５０＋／－５℃，成长时间为３０ｍｉｎ－１２０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】
1、高压驱动集成电路的制造工艺，包括以下步骤第一、衬底材料选择步骤；第二、形成P型埋层步骤，即在衬底材料形成氧化层，形成P型埋层的区域；第三、外延的生长步骤，漂光二氧化硅后，生长外延层；第四、P-区域和P阱区域的形成步骤，生长氧化层经光刻构图；第五、P+环的形成步骤，P阱推进后，进行P环区域的光刻；第六、第一层多晶的区域的选择步骤，在P环推进后，淀积多晶硅且磷注入，经光刻和刻蚀形成；第七、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择步骤，第一层多晶刻蚀后，再淀积氧化层，形成栅氧化；第八、第二层多晶与铝线之间介质的选择步骤，淀积第二层多晶，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋德，蔡元礼，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]