【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种，且特别有关于一种利用掀离工艺(lift-offprocess)来制作保护层的。
技术介绍
显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展趋势。平 面显示器主要有以下几种有机电激发光显示器(organic electroluminescence display)、等离子体显示器(plasma display pand)以及薄膜晶体管液晶显示器等 (thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器 的应用最为广泛。 一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列 基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光阵歹U基板(color filter substrate)和液晶层(liquid crystal layer)所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板包 括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个阵列排列的像素结 构(pixd imit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线电性...
【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，包括：提供基板；形成栅极于该基板上；形成栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上；形成第二金属层于该通道层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上，并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层，以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极，其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上；移除该图案化光致抗蚀剂层，以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出该源极与该漏极；以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制作方法，包括提供基板；形成栅极于该基板上；形成栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上；形成第二金属层于该通道层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上，并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层，以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极，其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上；移除该图案化光致抗蚀剂层，以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出该源极与该漏极；以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。2. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该栅极的方法包括形成第一金属层于该基板上；以及 图案化该第一金属层，以形成该栅极。3. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中图案化该第一金属层 的方法包括激光剥离或微影蚀刻。4. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该通道层的方法 包括形成半导体层于该栅介电层上；以及 图案化该半导体层以形成该通道层。5. 如权利要求4所述的像素结构的制作方法，其中图案化该半导体层的 方法包括激光剥离或微影蚀刻。6. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该栅介电层的方 法包括通过化学气相沉积形成氮化硅层。7. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该像素电极的方法包括-形成导电层于该图案化保护层与剩余的该第二金属层上；以及图案化该导电层，以形成该像素电极。8. 如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其中形成该导电层的方法 包括通过溅镀形成铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。9. 如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其中图案化该导电层的方 法包括激光剥离或微影蚀刻。10. —种像素结构的制作方法，包括 提供基板；形成栅极于该基板上； 形成栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极； 形成半导体层于该栅极上方的该栅介电层上； 形成第二金属层于该半导体层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上，并以该图案化光致抗蚀剂 层为掩模移除部分的该第二金属层与部分的该半导体层，以同时形成通道 层、源极以及漏极于该栅极上方...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨智钧，黄明远，林汉涂，石志鸿，廖达文，方国龙，蔡佳琪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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