薄膜晶体管阵列基板制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，该制造方法在基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层、钝化层和透明导电层，其中在第一金属层上形成有栅极和栅极接垫，在第二金属层上形成有源极、漏极和数据接垫，在透明导电层上形成有像素电极以及和栅极接垫、数据接垫电接触的透明电极。本发明专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板制造方法可把光罩数减少到两个，降低成本，提高产量和成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示装置阵列基板制造方法，尤其涉及一种减少光掩膜板 的。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的 一种平面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。薄膜晶 体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)主要由薄膜晶 体管阵列基板，彩色滤光阵列基板和液晶层组成。 一般来说，彩色滤光阵列基板 具有一彩色滤光片(color filter)以及一共同电极(common electrode)。而阵列基板上 具有横向延伸的栅极线(gateline)、纵向延伸的数据线(source lines,或称源极线)、 位于栅极线与数据线交叉处附近的当作是开关组件的薄膜晶体管(TFT)，以及由栅 极线和数据线所定义的区域中的像素电极。每一薄膜晶体管具有一栅极、 一源极 和一漏极。栅极从栅极线延伸出来，而源极从源极线延伸出来。漏极通常是借助 于一接触孔(contact hole)和像素电极电性连接。液晶显示器还包括垫部分(pad本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：　提供一基板，并在该基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层，然后涂布光刻胶，其中所述第一金属层具有栅极接垫区和储存电容区，所述有源层具有薄膜晶体管沟道区，所述第二金属层具有数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区；　利用第一光罩形成一第一光刻胶图案，其中覆盖所述数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区的光刻胶层具有第一厚度，覆盖所述薄膜晶体管沟道区的光刻胶具有第二厚度，覆盖所述栅极接垫区和储存电容区的光刻胶层具有第三厚度，该第一厚度大于第二厚度大于第三厚度；　以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第二金属层、有源层、欧姆接触层、栅...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤提供一基板，并在该基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层，然后涂布光刻胶，其中所述第一金属层具有栅极接垫区和储存电容区，所述有源层具有薄膜晶体管沟道区，所述第二金属层具有数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区；利用第一光罩形成一第一光刻胶图案，其中覆盖所述数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区的光刻胶层具有第一厚度，覆盖所述薄膜晶体管沟道区的光刻胶具有第二厚度，覆盖所述栅极接垫区和储存电容区的光刻胶层具有第三厚度，该第一厚度大于第二厚度大于第三厚度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第二金属层、有源层、欧姆接触层、栅绝缘层和第一金属层；去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第三厚度光刻胶层所覆盖的栅极接垫区和储存电容区，经刻蚀形成栅极和储存电容；继续去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第二厚度光刻胶层所覆盖的薄膜晶体管沟道区，去除该沟道区的第二金属层和欧姆接触层以形成沟道；继续去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第一厚度光刻胶层所覆盖的薄膜晶体管的源极，漏极及数据接垫；在上述图案上继续沉积钝化层，利用第二光罩形成一第二光刻胶图案，覆盖所述栅极接垫区、数据接垫区和薄膜晶体管区的光刻胶层具有第五厚度，其中，所述栅极接垫区中心区域、数据接垫区中心区域和漏极区中心区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：高孝裕，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]