半导体器件及其制造方法技术

技术编号:3170015 阅读:146 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的半导体器件包括:布线层;层叠在上述布线层上的绝缘层;从上述绝缘层的表面向下挖掘该绝缘层形成的沟槽;沿上述沟槽的内面形成的膜状的下部电极;沿上述下部电极的表面形成的电容性膜;和在夹持上述电容性膜的状态下与上述下部电极对置的上述电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有MIM(金属绝缘体金属,Metal-Insulator-Metal) 结构的电容元件的。
技术介绍
在下部电极及上部电极之间插入绝缘性的电容性膜的结构(MIM)的 电容元件(以下称为MIM电容元件),由于电阻成分小、能够高容量密 度化,所以,特别地作为搭载在无线通信用系统LSI中的电容元件被关注。作为MIM电容元件,通常是由包含A1 (铝)的金属膜形成下部电极 及上部电极的电容元件,但为了实现进一步降低电阻,正在研讨代替Al 在下部电极材料中应用导电性更高的Cu (铜)。图3是采用Cu作为下部电极的材料的MIM电容元件的示意性剖面图。在半导体基板(未图示)上,隔着层间绝缘膜92形成MIM电容元件 91。利用所谓的镶嵌(damascene)法,将由Cu制成的下部电极93埋设 在形成在层间绝缘膜92的表面层部的沟槽中。将下部电极93的表面形成 为与层间绝缘膜92的表面几乎齐平面,在此层间绝缘膜92的表面和下部 电极93的表面上,例如层叠由SiN (氮化硅)制成的电容性膜94。上部 电极95,例如由TiN (氮化钛)制成,俯视下形成为比下部电极93更小 的尺寸的平板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:布线层;层叠在上述布线层上的绝缘层;从上述绝缘层的表面向下挖掘该绝缘层所形成的沟槽;沿上述沟槽的内面形成的膜状的下部电极;沿上述下部电极的表面形成的电容性膜;和夹持上述电容性膜与上述下部电极对置的上部电极。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-31 2007-1458101、一种半导体器件,包括布线层;层叠在上述布线层上的绝缘层;从上述绝缘层的表面向下挖掘该绝缘层所形成的沟槽;沿上述沟槽的内面形成的膜状的下部电极;沿上述下部电极的表面形成的电容性膜;和夹持上述电容性膜与上述下部电极对置的上部电极。2、 根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于, 在上述布线层的表面层部上,在与上述沟槽对置的位置处埋设接触布线;在上述绝缘层中形成贯通上述沟槽的底面和上述接触布线的表面之 间的通孔;沿着上述沟槽的内面、上述通孔的侧面及上述接触布线的表面中的面 对上述沟槽的部分,形成上述下部电极。3、 根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于, 上述上部电极由含铜的金属制成,并填满上述沟槽。4、 根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于, 上述下部电极由对于向上述绝缘层的铜...

【专利技术属性】
技术研发人员:荫山聪
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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