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本发明涉及一种高压驱动集成电路的制造工艺。该工艺包括衬底材料选择、形成Ｐ型埋层、外延的生长、Ｐ－区域和Ｐ阱区域的形成、Ｐ＋环的形成、第一层多晶的区域选择、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择、第二层多晶与铝线之间介质的选择等步骤，其特点是...
该专利属于和舰科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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