半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、电性接点、第一包覆体及第二包覆体。芯片具有一外侧面。电性接点形成于芯片上。第一包覆体包覆芯片的外侧面的第一部分。第二包覆体包覆芯片的外侧面的第二部分及部分电性接点。第一包覆体与第二包覆体于芯片的外侧面直接接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法本申请是申请人于2013年8月20日提交的、申请号为“201310364137.0”的、专利技术名称为“半导体封装件及其制造方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有包覆体的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
传统半导体封装件包括芯片及数个输出/入接点。输出/入接点例如是焊球，其形成于芯片的主动面上。半导体封装件通过焊球与外部电路板电性连接。然而，由于芯片结构越来越薄且越来越大，当半导体封装件设于电路板上过程中，芯片容易发生龟裂。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，可改善半导体封装件发生龟裂的问题。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片、一电性接点、一第一包覆体及一第二包覆体。芯片具有一外侧面。电性接点形成于芯片上。第一包覆体包覆芯片的外侧面的一第一部分。第二包覆体包覆芯片的外侧面的一第二部分及部分电性接点。第一包覆体与第二包覆体于芯片的外侧面直接接触。根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一芯片，芯片具有一外侧面；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：一芯片，具有一外侧面；一电性接点，形成于该芯片上；一第一包覆体，包覆该芯片的该外侧面的一第一部分；以及一第二包覆体，包覆该芯片的该外侧面的一第二部分及部分该电性接点，其中该第一包覆体与第二包覆体于该芯片的该外侧面的处直接接触。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：一芯片，具有一外侧面；一电性接点，形成于该芯片上；一第一包覆体，包覆该芯片的该外侧面的一第一部分；以及一第二包覆体，包覆该芯片的该外侧面的一第二部分及部分该电性接点，其中该第一包覆体与第二包覆体于该芯片的该外侧面的处直接接触。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该芯片包括：一重布层，具有一外侧面；其中，该第一包覆体覆盖该重布层的该外侧面的一部分，而该第二包覆体覆盖该重布层的该外侧面的另一部分。3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该芯片具有一主动面且包括：一接垫，形成于该主动面；以及一保护层，覆盖该主动面并露出该接垫且具有一外侧面；一重布层，包括:一第一介电层，该第一介电层覆盖该保护层并露出该接垫且具有一外侧面；一线路层，电性连接该接垫；以及一第二介电层，覆盖该线路层的一部分且具有一开孔露出该线路层的另一部分，该第二介电层具有一外侧面。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第二包覆体具有一凹陷曲面，该凹陷曲面背向该芯片的一主动面的方向。5.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该电性接点包括：一露出部分，是该凹陷曲面与邻近的该电性接点接触的交线与该电性接点的端部之间的部分；其中，该露出部分的体积占该电性接点的体积的比例介于40％至60％之间。6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一包覆体与该第二包覆体的材质相异。7.一种半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡崇宣，蔡裕斌，谢爵安，曾国展，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71