半导体元器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体元器件，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，工作芯片及SBD芯片均设于载芯板上，载芯板上设有源极引脚，工作芯片分别与栅极引脚、漏极引脚及源极引脚电性连接，SBD芯片的阴极与载芯板上的电路电性连接，SBD芯片的阳极与漏极引脚电性连接，工作芯片与SBD芯片均为氮化镓芯片。上述半导体元器件，SBD芯片及工作芯片均为氮化镓芯片，可耐高温，同时SBD芯片可防止工作芯片被击穿，无论在工作温度较高或工作电压过高时，都不会发生损坏，工作稳定性较高。

semiconductor device

The utility model discloses a semiconductor component, including a core board, a work chip, a SBD chip, a gate pin and a drain pin. The work chip and the SBD chip are both installed on the core board, and the core board is provided with a source pin. The work chip is electrically connected with the grid pin, the drain pin and the source pin, and the SBD chip. The cathode is electrically connected with the circuit on the core board. The anode and the drain pin of the SBD chip are electrically connected, and the working chip and the SBD chip are gallium nitride chips. The above semiconductor components, SBD chips and working chips are gallium nitride chips, which can withstand high temperature. At the same time, SBD chips can prevent the work chip from being penetrated. No damage will occur at high working temperature or high working voltage, and the working stability is high.

【技术实现步骤摘要】
半导体元器件
本技术涉及一种电子元件
，特别是涉及一种半导体元器件。
技术介绍
随着电子产品的应用越来越多，对半导体元件的要求越来越高，需要半导体元件在极端环境下仍能正常工作。传统的半导体元件可在一定温度下进行工作，但随着温度升高，传统的半导体元件的性能会发生下降，同时易发生故障，稳定性较差。
技术实现思路
基于此，本技术在于克服现有技术的不足，提供一种耐高温、稳定性较好的半导体元器件。其技术方案如下：一种半导体元器件，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，所述工作芯片及所述SBD芯片均设于所述载芯板上，所述载芯板上设有源极引脚，所述工作芯片分别与所述栅极引脚、所述漏极引脚及所述源极引脚电性连接，所述SBD芯片的阴极与所述载芯板上的电路电性连接，所述SBD芯片的阳极与所述漏极引脚电性连接，所述工作芯片与所述SBD芯片均为氮化镓芯片。上述半导体元器件，工作芯片与SBD芯片均为氮化镓芯片，由于氮化镓具有工作温度高，击穿电压高等特性，则即使工作芯片与SBD芯片的工作环境温度升高，工作芯片与SBD芯片也不会由于高温发生性能下降或损坏等问题，同时SBD芯片分别与载芯板上的电路、漏极引脚电性连接，与工作芯片的电路连接呈并联关系，若工作芯片的工作电压过大，SBD芯片可先行导通，防止工作芯片由于电压过高导致被击穿。上述半导体元器件，SBD芯片及工作芯片均为氮化镓芯片，可耐高温，同时SBD芯片可防止工作芯片被击穿，无论在工作温度较高或工作电压过高时，都不会发生损坏，工作稳定性较高。进一步地，所述工作芯片为MOS芯片。进一步地，上述半导体元器件还包括封装体，所述封装体设于所述载芯板上，所述工作芯片与所述SBD芯片均设于所述封装体内。进一步地，所述工作芯片通过导线分别与所述漏极引脚、所述栅极引脚电性连接，所述工作芯片与所述漏极引脚、所述栅极引脚的连接处均设于所述封装体内。进一步地，所述栅极引脚、所述漏极引脚与所述载芯板间隔设置。进一步地，所述源极引脚、所述栅极引脚及所述漏极引脚并列间隔设置。进一步地，所述漏极引脚、所述源极引脚及所述栅极引脚沿第一方向依次设置，所述SBD芯片、所述工作芯片沿所述第一方向依次间隔设置。进一步地，所述载芯板远离所述源极引脚、所述栅极引脚及所述漏极引脚的一侧设有用于辅助生产的定位板。进一步地，所述定位板上设有定位孔。进一步地，所述定位板的两侧均设有缺口。附图说明图1为本技术实施例所述的半导体元器件的结构示意图。附图标记说明：100、载芯板，110、源极引脚，200、工作芯片，300、SBD芯片，400、栅极引脚，500、漏极引脚，600、封装体，700、定位板，710、定位孔，720、缺口。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本技术中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。一实施例中，如图1所示，半导体元器件包括载芯板100、工作芯片200、SBD芯片300、栅极引脚400及漏极引脚500，工作芯片200及SBD芯片300均设于载芯板100上，载芯板100上设有源极引脚110，工作芯片200分别与栅极引脚400、漏极引脚500及源极引脚110电性连接，SBD芯片300的阴极与载芯板100上的电路电性连接，SBD芯片300的阳极与漏极引脚500电性连接，工作芯片200与SBD芯片300均为氮化镓芯片。上述半导体元器件，工作芯片200与SBD芯片300均为氮化镓芯片，由于氮化镓具有工作温度高，击穿电压高等特性，则即使工作芯片200与SBD芯片300的工作环境温度升高，工作芯片200与SBD芯片300也不会由于高温发生性能下降或损坏等问题，同时SBD芯片300分别与载芯板100上的电路、漏极引脚500电性连接，与工作芯片200的电路连接呈并联关系，若工作芯片200的工作电压过大，SBD芯片300可先行导通，防止工作芯片200由于电压过高导致被击穿。上述半导体元器件，SBD芯片300及工作芯片200均为氮化镓芯片，可耐高温，同时SBD芯片300可防止工作芯片200被击穿，无论在工作温度较高或工作电压过高时，都不会发生损坏，工作稳定性较高。具体地，SBD芯片300为肖特基二极管芯片。进一步地，工作芯片200为MOS芯片。具体地，MOS芯片为金属-氧化物-半导体场效应晶体管芯片。传统的半导体元器件若只设有MOS芯片，不设置SBD芯片300，则当MOS芯片的工作电压超出量程时，MOS芯片容易发生击穿损坏；若只设有SBD芯片及普通硅MOS芯片，则半导体元器件不耐高温，在高于175℃时会发生性能下降或损坏。进一步地，上述半导体元器件还包括封装体600，封装体600设于载芯板100上，工作芯片200与SBD芯片300均设于封装体600内。封装体600可保护工作芯片200及SBD芯片300不受外界损伤，同时起到安放、固定、密封和增强电热性能等作用。进一步地，工作芯片200通过导线分别与漏极引脚500、栅极引脚400电性连接，工作芯片200与漏极引脚500、栅极引脚400的连接处均设于封装体600内。此时封装体600可对各引脚进行固定，便于后续对引脚进行电路连接。进一步地，栅极引脚400、漏极引脚500与载芯板100间隔设置。此时可保证栅极引脚400、漏极引脚500与载芯板100之间的绝缘，保证上述半导体元器件的正常工作。进一步地，源极引脚110、栅极引脚400及漏极引脚500并列间隔设置。此时可保证各引脚之间的绝缘设置，防止不同引脚之间接触。进一步地，漏极引脚500、源极引脚110及栅极引脚400沿第一方向依次设置，SBD芯片300、工作芯片200沿第一方向依次间隔设置。此时芯片与引脚沿同一方向依次设置，不同芯片通过导线与同一引脚连接时，便于布置导线。进一步地，载芯板100远离源极引脚110、栅极引脚400及漏极引脚500的一侧设有用于辅助生产的定位板700。可利用定位板700对上述半导体元器件进行夹持、定位等操作，便于生产制造。进一步地，定位板700上设有定位孔710。定位孔710便于对上述半导体元器件进行定位，同时可对上述半导体元器件进行固定。进一步地，定位板700的两侧均设有缺口720。可通过与上述两个缺口720的配合，对上述半导体元器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元器件，其特征在于，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，所述工作芯片及所述SBD芯片均设于所述载芯板上，所述载芯板上设有源极引脚，所述工作芯片分别与所述栅极引脚、所述漏极引脚及所述源极引脚电性连接，所述SBD芯片的阴极与所述载芯板上的电路电性连接，所述SBD芯片的阳极与所述漏极引脚电性连接，所述工作芯片与所述SBD芯片均为氮化镓芯片。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元器件，其特征在于，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，所述工作芯片及所述SBD芯片均设于所述载芯板上，所述载芯板上设有源极引脚，所述工作芯片分别与所述栅极引脚、所述漏极引脚及所述源极引脚电性连接，所述SBD芯片的阴极与所述载芯板上的电路电性连接，所述SBD芯片的阳极与所述漏极引脚电性连接，所述工作芯片与所述SBD芯片均为氮化镓芯片。2.根据权利要求1所述的半导体元器件，其特征在于，所述工作芯片为MOS芯片。3.根据权利要求1所述的半导体元器件，其特征在于，还包括封装体，所述封装体设于所述载芯板上，所述工作芯片与所述SBD芯片均设于所述封装体内。4.根据权利要求3所述的半导体元器件，其特征在于，所述工作芯片通过导线分别与所述漏极引脚、所述栅极引脚电性连接，所述工作芯片与所述漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾繁川，苏健泉，戴威亮，
申请(专利权)人：广州飞虹友益电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44