包括限定出凹口的包封材料的半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括第一接触元件、第二接触元件、半导体芯片和包封材料。所述第一接触元件位于所述半导体装置的第一侧。所述第二接触元件位于所述半导体装置的与所述第一侧相反的第二侧。所述半导体芯片电耦合到所述第一接触元件和所述第二接触元件。所述包封材料包封所述半导体芯片并包封所述第一接触元件的一部分和所述第二接触元件的一部分。所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第三侧限定出至少两个凹口。

【技术实现步骤摘要】
包括限定出凹口的包封材料的半导体装置
本专利技术涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
对于半导体装置封装体，爬电距离被定义为两个导电元件之间的绝缘材料表面上的最短距离。随着半导体装置的工作电压的增大，最小爬电距离也增大。由于这些和其它原因，需要本专利技术。
技术实现思路
半导体装置的一个示例包括第一接触元件、第二接触元件、半导体芯片和包封材料。所述第一接触元件位于所述半导体装置的第一侧。所述第二接触元件位于所述半导体装置的与所述第一侧相反的第二侧。所述半导体芯片电耦合到所述第一接触元件和所述第二接触元件。所述包封材料包封所述半导体芯片并包封所述第一接触元件的一部分和所述第二接触元件的一部分。所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第三侧限定出至少两个凹口。根据一个可选实施例，所述包封材料限定出所述至少两个凹口，以将所述第一接触元件与所述第二接触元件之间的爬电距离设定为预定值。根据一个可选实施例，所述包封材料在所述半导体装置的与所述第三侧相反的第四侧限定出至少两个凹口。根据一个可选实施例，所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：位于半导体装置的第一侧的第一接触元件；位于所述半导体装置的与所述第一侧相反的第二侧的第二接触元件；电耦合到所述第一接触元件和所述第二接触元件的半导体芯片；以及包封所述半导体芯片并包封所述第一接触元件的一部分和所述第二接触元件的一部分的包封材料，所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第三侧限定出至少两个凹口。

【技术特征摘要】
2017.01.03 US 15/397,2701.一种半导体装置，包括：位于半导体装置的第一侧的第一接触元件；位于所述半导体装置的与所述第一侧相反的第二侧的第二接触元件；电耦合到所述第一接触元件和所述第二接触元件的半导体芯片；以及包封所述半导体芯片并包封所述第一接触元件的一部分和所述第二接触元件的一部分的包封材料，所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第三侧限定出至少两个凹口。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述包封材料限定出所述至少两个凹口，以将所述第一接触元件与所述第二接触元件之间的爬电距离设定为预定值。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述包封材料在所述半导体装置的与所述第三侧相反的第四侧限定出至少两个凹口。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述包封材料在所述半导体装置的于所述第一侧与所述第二侧之间延伸并且垂直于所述第三侧的第五侧限定出至少两个凹口，并且所述包封材料在所述半导体装置的与所述第五侧相反的第六侧限定出至少两个凹口。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三侧具有一长度和小于所述长度的宽度，并且所述至少两个凹口中的每一个均延伸跨过所述第三侧的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三侧具有一长度和小于所述长度的宽度，并且所述至少两个凹口中的每一个均延伸跨过所述第三侧的长度。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触元件包括引线框架的第一引线，并且所述第二接触元件包括所述引线框架的第二引线。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述引线框架包括裸片焊盘，所述裸片焊盘具有与所述包封材料的表面对齐的表面，所述第一引线具有与所述包封材料的所述表面对齐的表面，并且所述第二引线具有与所述包封材料的所述表面对齐的表面。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触元件包括第一接触焊盘，并且所述第二接触元件包括第二接触焊盘。10.根据权利要求9所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·顾，B·M·乌彭德拉，K·S·勇，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE