存储器及其形成方法、半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用定义出字线导体的字线掩膜自对准地形成第一隔离屏障，并通过形成增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度，以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此，不仅可利用相交的第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出节点接触窗，从而摒除了光刻工艺所带来的位移偏差的问题；并且，利用第一隔离屏障较低的顶表面，可实现节点接触的顶部延伸，以调整所形成的多个节点接触在其与电容器的连接面上的排布方式，从而可进一步优化电容器排布的密集程度。

Memory and its forming method, semiconductor device

The invention provides a memory and a method for forming a semiconductor and a semiconductor device. The definition of word line conductor word line mask self-aligned formed the first isolation barrier, and through the formation of a thickening layer to increase the thickness of the second form the base isolation barrier, so that formed on the top surface of the substrate in the formation of second isolation barrier is higher than the top surface of the first isolation barrier. So, not only can use the intersection of the first and second isolation barrier isolation barrier defines node contact window, which eliminates the displacement deviation caused by the lithography process problems; and, with the top surface of the first isolation barrier is low, the top node can achieve contact extension of multiple nodes to adjust the contact in connection the capacitor arrangement on the surface, which can further optimize the intensity of capacitor arrangement.

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法以及一种半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以同通过位线接触连接至一位线导体，所述漏区用于构成节点接触区，以通过一节点接触连接至存储电容器。目前，在形成节点接触时，一般是利用光刻工艺直接定义出节点接触的形成区域，即，利用光刻工艺直接界定出所形成的节点接触的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成节点接触时，由于光刻工艺的对准精度的限制，从而不可避免的会产生位置偏移的问题，使所定义出的节点接触的形成区域的位置产生偏差，这将进一步导致后续所形成的节点接触与节点接触区之间无法充分接触而产生较大的接触电阻的问题。尤其是，随着器件尺寸的不断缩减，以及光刻工艺窗口的限制，使节点接触与节点接触区之间无法充分接触的问题将越发严重。此外，在制备出所述节点接触之后，还需要对应节点接触的排布方式，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中定义有一用于形成位线接触区的第一区域和多个用于形成节点接触区的第二区域，多个所述第二区域分布在所述第一区域的两侧；形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个沿第一方向延伸的开口，并形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中；对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，并且所述第一隔离线的顶表面不高于所述字线掩膜的顶表面，用于构成一位于所述字线掩膜中的第一隔离屏障；形成一增厚层在所述衬底上，所述增厚层覆盖所述第一隔离屏障和所述字线掩膜，所述增厚层...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中定义有一用于形成位线接触区的第一区域和多个用于形成节点接触区的第二区域，多个所述第二区域分布在所述第一区域的两侧；形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个沿第一方向延伸的开口，并形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中；对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，并且所述第一隔离线的顶表面不高于所述字线掩膜的顶表面，用于构成一位于所述字线掩膜中的第一隔离屏障；形成一增厚层在所述衬底上，所述增厚层覆盖所述第一隔离屏障和所述字线掩膜，所述增厚层和所述字线掩膜用于构成一第二隔离屏障的形成基底；形成多个位线沟槽在所述衬底上的所述形成基底中，所述位线沟槽贯穿所述形成基底的所述增厚层和所述字线掩膜，且所述位线沟槽沿着第二方向延伸并与相应的所述有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区对应在所述位线沟槽中，并形成多条位线导体在所述位线沟槽中，所述位线接触区连接至所述位线导体，所述位线导体的顶表面低于所述位线沟槽的顶表面；对准所述位线导体形成一第二隔离线在所述衬底上，所述第二隔离线填充所述位线沟槽以覆盖所述位线导体，所述第二隔离线与所述位线导体共同用于构成一位于所述形成基底中的所述第二隔离屏障，并且所述第二隔离线的顶表面高于所述字线掩膜的顶表面，使所述第二隔离线延伸至所述位线沟槽对应所述增厚层的部分中，以使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；以所述第二隔离屏障为二次掩膜，依次去除所述形成基底的所述增厚层和所述字线掩膜，以依次暴露出所述第一隔离屏障和所述节点接触区，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个节点接触窗，每一所述节点接触区对应地暴露在一个所述节点接触窗中；以及，填充一节点接触在所述节点接触窗中，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述节点接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的顶表面。2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述字线导体之前，还包括：形成一位线接触在所述衬底上，所述位线接触嵌入在一位于所述衬底上的隔离层中并与所述位线接触区电性连接，所述位线接触区通过所述位线接触连接至所述位线导体。3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线沟槽在所述衬底上的投影完全覆盖所述位线接触区和所述位线接触，并且在所述第一方向上，所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述位线沟槽的最大宽度尺寸，以使所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述第二隔离屏障的最大宽度尺寸；在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述隔离层中位于所述第二隔离屏障下方的部分被保留。4.如权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线沟槽包括靠近所述位线接触的底部沟槽和远离所述位线接触的顶部沟槽，所述第二隔离屏障相应的包括靠近所述位线接触的底部隔离部和远离所述位线接触的顶部隔离部，且在所述第一方向上，所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸大于所述位线接触和所述位线接触区的宽度尺寸；在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述形成基底和所述隔离层中位于所述顶部隔离部下方的部分均被保留，被保留的所述形成基底在对应所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的位置延伸至被保留的所述隔离层的表面；以及，在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸等于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述隔离层中位于所述底部隔离部下方的部分被保留。5.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线接触的形成步骤包括：形成一隔离层在所述衬底上，所述隔离层覆盖所述有源区；形成一位线接触窗在所述隔离层中，所述位线接触区暴露于所述位线接触窗中；以及，对准填充所述位线接触在所述位线接触窗中，所述位线接触与所述位线接触区电性连接。6.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离线对准地覆盖所述字线导体，其形成方法包括：利用所述字线掩膜为掩膜刻蚀所述衬底，以形成一对应所述开口的字线沟槽在所述衬底中；形成字线导体在所述字线沟槽中，且所述字线导体的顶表面不高于所述字线沟槽的顶表面；以及，形成所述第一隔离线在所述开口中并延伸至所述字线沟槽中，以覆盖所述字线导体。7.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离线的形成方法包括：形成一第一隔离材料层在所述衬底上，所述第一隔离材料层填充所述开口并覆盖所述字线掩膜；以及，利用所述字线掩膜为研磨停止层执行化学机械研磨工艺，去除所述第一隔离材料层中位于所述字线掩膜顶部的部分，使剩余的所述第一隔离材料层仅填充在所述开口中，以构成所述第一隔离线。8.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离线的形成步骤包括：形成一第二隔离材料层在所述衬底上，所述第二隔离材料层填充所述位线沟槽并覆盖所述增厚层；以及，利用所述增厚层为研磨停止层执行化学机械研磨工艺，部分去除所述第二隔离材料层中位于所述增厚层顶部的部分，使剩余的所述第二隔离材料层仅填充在所述位线沟槽中，以构成顶表面高于所述第一隔离线的顶表面的所述第二隔离线。9.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述位线沟槽之后以及形成所述位线导体之前，还包括：形成一间隔绝缘层在所述位线沟槽的侧壁上，其中，所述间隔绝缘层、所述位线导体和所述第二隔离线共同构成所述第二隔离屏障。10.如权利要求1～9任意一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述节点接触的形成步骤包括：利用所述第二隔离屏障具有相对于所述第一隔离屏障较高的顶表面，对准填充一导电层在相邻的所述第二隔离屏障之间的间隙中，所述导电层填充所述节点接触窗并覆盖所述第一隔离屏障，以使所述导电层沿着所述第二方向连续延伸；以及，以刻蚀方式形成多个分隔开口在所述导电层中，所述分隔开口位于所述第一隔离屏障上方的部分暴露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34