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本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用定义出字线导体的字线掩膜自对准地形成第一隔离屏障，并通过形成增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度，以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此，不仅可利用相...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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