半导体结构与其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括一基板、多个第一叠层结构以及两个第二叠层结构。第一叠层结构设置于基板上，且每个第一叠层结构包括多个交互叠层的金属层与氧化层。第二叠层结构设置于基板上，且每个第二叠层结构包括多个交互叠层的氮化硅层与氧化层。第一叠层结构设置于两个第二叠层结构之间。

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

The present invention discloses a semiconductor structure, which comprises a substrate, a plurality of first stack structures and two second stack structures. The first stack structure is arranged on the substrate, and each of the first stack structure comprises a plurality of metal layers and oxide layers which interact with each other. The second stack structure is arranged on the substrate, and each of the second stack structures includes a plurality of silicon nitride layers and an oxide layer which interact with each other. The first laminated structure is arranged between the two second stack structures.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构与其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构与其制造方法，且特别是有关于一种具有栅极取代(gatereplacement)的半导体结构与其制造方法。
技术介绍
半导体结构被使用于许多产品，例如MP3播放器、数字相机、计算机档案等储存元件中。随着半导体制造技术的进步，对于半导体结构的需求也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。因应这种需求，系需要制造高元件密度的半导体结构。设计者开发一种提高半导体结构密度的方法是使用三维叠层存储装置，以达到更高的存储容量，同时降低每一位的成本。然而，在三维叠层存储装置，尤其是氧化物/多晶硅(oxide/polysilicon，OP)叠层存储装置中，字线电阻(wordlineresistance)为一关键因素，这是由于字线电阻会影响操作速度。因此，制造一种可有效降低字线电阻的存储器为一重要的课题。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种具有栅极取代的半导体结构与其制造方法。在本专利技术某些实施例中，半导体结构的金属层可降低字线电阻且节省单栅极垂直通道(singlegateverticalchannel，SGVC)装置结构的字线金属布线(metalrout本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一基板；多个第一叠层结构，设置于该基板上，每个该第一叠层结构包括多个交互叠层的金属层与氧化层；以及两个第二叠层结构，设置于该基板上，每个该第二叠层结构包括多个交互叠层的氮化硅层与氧化层；其中这些第一叠层结构设置于该两个第二叠层结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一基板；多个第一叠层结构，设置于该基板上，每个该第一叠层结构包括多个交互叠层的金属层与氧化层；以及两个第二叠层结构，设置于该基板上，每个该第二叠层结构包括多个交互叠层的氮化硅层与氧化层；其中这些第一叠层结构设置于该两个第二叠层结构之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括：一电荷捕捉层，设置于这些第一叠层结构上；及一通道层，设置于该电荷捕捉层上。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该电荷捕捉层具有一凸出部，使该电荷捕捉层的上表面为不平的。4.根据权利要求2所述的半导体结构，更包括：多个导电插塞，电性连接于该通道层。5.根据权利要求4所述的半导体结构，更包括：一绝缘层，设置于这些第一叠层结构之间；其中位于这些导电插塞之间的部分该绝缘层被裸露。6.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板；交互叠层多个氮化硅层与氧化层；刻蚀这些氮化硅层与氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：江昱维，邱家荣，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71