本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体...

用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或腔室部件温度的部件和系统。第一传热流体通道设置于部件中、等离子体处理腔室内设置的工作表面下方，使得该第一通道在该工作表面的第一温度区域下方的第一长度可包括与该第一通道在该工作表面的第二温...

本发明的实施例包括太阳能电池与用于形成太阳能电池的方法。详言之，这些方法可用于在太阳能电池衬底上形成钝化/ARC层，该钝化/ARC层具有结合的功能与光学梯度特性。该方法可包括以下步骤：将第一处理气体混合物流进处理腔室内的处理空间；在处理...

本发明的实施例提供一种薄单晶硅膜太阳能电池以及形成所述太阳能电池的方法。所述方法包括：在硅生长衬底上形成薄单晶硅层，接着在所述薄单晶硅膜上和/或中形成前或后太阳能电池结构。所述方法也包括：将所述薄单晶硅膜附接到机械载体上，然后沿分裂平面...

本文提供了将气体输送至腔室的装置及其使用方法。在某些实施例中，用于工艺腔室的气体分配系统可包括：主体，该主体具有第一表面，该第一表面被配置为将主体耦合至工艺腔室的内表面，该主体具有被布置穿过主体的开口；凸缘，该凸缘被布置成邻近开口的第一...

本发明涉及对处理腔室进行气体传送的方法与设备。在某些具体实施例中，处理基板设备包含流量控制器以提供所需的总气体流量；第一流量控制歧管，该第一流量控制歧管包含第一入口、第一出口、及选择性连接于其间的多个第一孔，其中该第一入口连接至该流量控...

本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电...

本发明提供一种使用多腔室制程系统来处理基材的方法及设备，该系统具有增加的产能、增强的系统可靠度、改善的器件合格率表现、可重复性更高的晶片制程历史、以及较小的占地面积(footprint)。该群集工具的各种实施例可使用以平行制程配置法配置...

本发明提供一种处理套组（200），所述处理套组（200）包含上遮蔽件（201a），用以环绕住基板处理腔室（100）中的溅射靶材（140），以减少工艺沉积物沉积在腔室部件及基板悬伸边缘上。所叙述的遮蔽件为单一结构，所述单一结构具有在外表面...

本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，...

本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical?vapor?deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平...

本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所...

在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件...

本发明提供一种溅射沉积系统，所述溅射沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括用于在所述真空腔室中维持真空的真空泵；进气口，所述进气口用于供应工艺气体到真空腔室；在真空腔室之内的溅射靶材和基板支撑器；和等离子体源，所述等离子体源附着于所述...

本文所描述的实施例使用调节拂掠的闭回路控制(closed-loop?control；CLC)，以在整个垫寿命期间赋能跨越该垫的均匀沟槽深度移除。整合至调节臂中的一感测器能现场且即时监控该垫堆迭厚度。自该厚度感测器的反馈用于修改跨越该垫表...

本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴...

描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在...

本实用新型涉及一种导波辐射器，所述导波辐射器包括两个导电的波导壁以及波导电介质。波导电介质的容积是由非气态的电介质材料构成并且位于两波导壁之间。波导电介质包括第一和第二长度端，并且波导电介质包括在两长度端之间沿长度方向延伸的第一、第二、...

本发明实施例预期利用薄膜或层沉积处理以及其它形成电化学装置与装置部件的相关方法来形成电化学装置与装置部件，电化学装置与装置部件诸如电池单元或超级电容。在一实施例中，提供电池双层单元。电池双层单元包括：阳极结构，阳极结构包括导电集电基板、...

本发明大体提供了一种于p-型掺杂区域上形成高质量钝化层的方法，以形成高效能太阳能电池装置。本发明的实施例可特别有利于制备形成于硅基板中硼掺杂区域的表面。在一个实施例中，该方法包括下列步骤：将太阳能电池基板的表面暴露至等离子体，以清洁并改...