使用远程等离子体源的介电沉积制造技术

本发明专利技术提供一种溅射沉积系统，所述溅射沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括用于在所述真空腔室中维持真空的真空泵；进气口，所述进气口用于供应工艺气体到真空腔室；在真空腔室之内的溅射靶材和基板支撑器；和等离子体源，所述等离子体源附着于所述真空腔室且定位于距溅射靶材较远位置，所述等离子体源被配置为形成延伸至真空腔室中的高密度等离子体束。等离子体源可包括矩形截面源腔室、电磁铁和射频线圈，其中矩形截面源腔室和射频线圈被配置为使高密度等离子体束具有细长卵形截面。此外，溅射靶材表面可被设置为非平面形式，以提供均匀等离子体能量沉积至靶材中和/或在基板支撑器上的基板表面处提供均匀溅射沉积。溅射沉积系统可包括用于整形高密度等离子体束的等离子体扩散系统，从而完全且均匀覆盖溅射靶材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及溅射沉积エ艺工具，且本专利技术尤其涉及用于介电材料的高生产率溅射沉积系统，所述系统配置有远离溅射靶材的等离子体源。
技术介绍
在由于内部热应カ的材料裂缝之前，在介电材料的常规射频(radiofrequency;RF)溅射中的沉积速率受到可施加于靶材的功率密度的限制。介电材料通常为不良的导热体。常规派射源中的磁控管以跑道图案(racetrack pattern)约束Ar等离子体。如此横跨靶材产生不均匀功率密度，导致靶材的不均匀加热、靶材中的内应カ累积以及甚至裂縫。特别地，用于在制造薄膜电池时溅射沉积锂磷氮氧(LiPON)电解质材料的介电靶材对裂缝敏感。目前，将LiPON薄膜的沉积速率保持较低以避免使靶材材料裂化。存在对于用于沉积LiPON薄膜的改进方法和设备的需要。专利技术概述本专利技术的实施例提供溅射沉积工具和方法，所述溅射沉积工具和方法为使用Li3PO4 (磷酸锂)溅射靶材的薄膜电池的LiPON沉积提供制造优点。通过使用诸如由英国的Plasma Quest Ltd.(等离子体快思特有限公司)提供且在美国专利第6，463，873号和第7，578，908号中描述且在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫·霍夫曼，马耶德·A·福阿德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：