具可变电容调谐器与反馈电路的物理气相沉积制造技术

本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具可变电容调谐器与反馈电路的物理气相沉积背景等离子体处理被用于制造例如集成电路、集成电路的光微影处理中所使用的掩模、等离子体显示器以及被用于太阳能技术中。制造集成电路时，半导体晶圆是在等离子体腔室内进行处理。工艺可例如为反应性离子蚀刻(RIE)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或等离子体增强物理气相沉积(PEPVD)工艺。在集成电路方面的最新技术进展是将特征结构尺寸缩减至小于32纳米。进一步缩小尺寸需要更精确地控制晶圆表面处的工艺参数，所述工艺参数包括等离子体离子能谱、等离子体离子能量的径向分布(一致性)、等离子体离子密度以及等离子体离子密度的径向分布(一致性)。此外，还要求这些参数在具有相同设计的反应器之间最好能保持一致。举例而言，晶圆表面处的离子密度决定沉积速率及竞争蚀刻速率，因此在PECVD工艺中离子密度很重要。而在靶材表面处，靶材的消耗(溅射)速率则受到靶材表面处的离子密度及靶材表面处的离子能量影响。可通过对溅射频率依赖性的功率源进行阻抗调谐来控制整个晶圆表面的离子密 度径向分布与离子能量径向分布。故需根据所测得的工艺参数以可再现的方式设定至少一个用以控制阻抗的调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德·M·拉希德，罗纳德·D·迪多尔，迈克尔·S·考克斯，基思·A·米勒，唐尼·扬，约翰·C·福斯特，阿道夫·M·艾伦，拉拉·哈夫雷查克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：