本文提供改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔...

本发明提供用于使用无掩模技术封装设置于基板上的OLED结构的方法和设备。与传统的硬掩模图案化技术相比，无掩模技术可有效地提供简单并且低成本的OLED封装方法。无掩模技术可在成本低并且不存在使用传统掩模时存在的对准问题的情况下，在OLED...

本发明提供了用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备。在蚀刻处理期间测量衬底温度的设备包括：形成在衬底支撑表面中的一个或多个窗口；被构造为脉冲产生第一信号的第一信号发生器；以及定位为接收从第一信号发生器透射穿过一个或多个窗口的能量的第...

本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，特别是关于氮掺杂的非晶形碳层与用于在半导体衬底上沉积氮掺杂的非晶形碳层的工艺。在一个实施例中，提供在衬底上形成氮掺杂非晶形碳层的方法。所述方法包含以下步骤：将衬底定位在衬底处理腔室中；将含氮碳氢化...

本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内...

本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍...

在沉积结晶锗层于基板上的方法中，基板放置在处理区中，所述处理区包含一对处理电极。在沉积阶段，将结晶锗层沉积在所述基板上是通过以下步骤：将包含含锗气体的沉积气体导入所述处理区，以及，藉由将能量耦合所述处理电极而形成所述沉积气体的电容式耦合...

本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层...

本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理...

本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性...

本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托...

本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头...

本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所...

本文提供了一种窗组件的实施例。在一些实施例中，一种在基板处理系统中使用的窗组件包括：第一窗，对光能量至少部分透明；第二窗，对光能量透明并且实质上平行于第一窗；以及分隔件，被设置成与第一窗和第二窗的周边边缘接近，并且在第一窗与第二窗之间限...

本公开描述了一种涂覆衬底(110)的方法，所述方法包括在衬底(110)上形成溅射材料层(806)的步骤。形成溅射材料层的步骤可以包括以下步骤：将来自至少一个可旋转靶材(120’)的材料溅射在衬底(110)上；以及改变至少一个可旋转靶材(...

本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通...

本发明描述了降低存在于集成电路的两个导电组件之间的有效介电常数的方法。所述方法涉及使用气相蚀刻，所述气相蚀刻对于低K电介质层的富氧部分是选择性的。当所述蚀刻工艺穿过相对高K富氧部分到达低K部分时，蚀刻速率减弱。因为所述气相蚀刻工艺不容易...

本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例...

在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜...

本发明提供一种用于支撑可旋转靶材(10)的装置(100)和具有此装置(100)的沉积设备(200)。该装置包括：主体(110)；第一流体导管(131)，其在主体(110)中用于从可旋转靶材(10)接收流体；以及第二流体导管(132)，其...