本发明提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的S...

本发明描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有数个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成光罩。该光罩由覆盖并保护该等集成电路的层所组成。以使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供具有间隔的图案化光罩。该图案化暴露...

本发明的实施例大致提供用于等离子体加工腔室的盖加热器。在一个实施例中，提供盖加热器组件，包括导热底座。所述导热底座具有平面环形，用于界定内部开口。所述盖加热器组件进一步包括：加热元件，所述加热元件布置于导热底座上；及绝缘的中央核心，所述...

控制抛光的方法包括存储具有多个参考光谱的图库、抛光基板、在抛光期间测量来自基板的光的序列光谱、利用除平方差总和之外的匹配技术为所述序列光谱中的每一个测量光谱寻找最佳匹配参考光谱以产生序列最佳匹配参考光谱、以及根据所述序列最佳匹配参考光谱...

本发明提供例如在发光二极管(LED)的制造期间控制外延生长参数的设备与方法。实施例包括对III-V族薄膜在当基板在高温下处于多腔室群集工具的移送室中时生长之后的PL测量。在其他实施例中，当所述基板安置于所述移送室中时，执行薄膜厚度测量、...

本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速...

本发明大体上包含具有半导体材料的薄膜晶体管(TFT)，所述半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、锡、镓、镉和铟所构成的群组中的元素以作为有源沟道。该半导体材料可用于底栅TFT、顶栅TFT和其他类型的TFT中。通过蚀刻来图案化TFT可...

提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中，支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴，用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板...

本发明公开了一种处理配件，该处理配件包括在衬底处理室中设置于衬底支架周围的环组件，用于减少沉积在室组件和衬底的悬伸边上的工艺沉积物。该处理配件包括沉积环、盖环以及防升托架，并且还包括整体护板。同时还对靶材进行了说明。

本发明大致包含一种半导体膜及一种用来沉积该半导体膜的反应溅射工艺。溅射靶可包含纯锌，也就是纯度为99.995%原子百分比或更高纯度的锌，锌可掺杂有铝(约1%原子百分比至约20%原子百分比)或其它掺杂金属。可利用引入氮气和氧气到腔室内来反...

本发明提供一种错列薄膜晶体管及一种形成该错列薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括退火层堆叠，该退火层堆叠包括：含氧化物层；铜合金层，该铜合金层沉积于导电氧化物层上；含铜氧化物层；以及含铜层。

本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件，以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言，此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独（及组合）运作以显著地减少它们在处理期间对基板周围的电场的影响。

本发明涉及一种电镀装置，所述电镀装置具有改良的触点去镀特征结构，所述电镀装置包括槽池组件(26)，槽池组件(26)具有槽池(30)，槽池(30)用于容纳电镀溶液。在电镀操作期间，头部(22)与槽池组件合作，头部(22)具有转子(34)及...

本发明提供了一种系统与方法，该系统与方法在等离子体处理期间通过直接监测刚好到达等离子体处理腔室的射频供电电极之前的射频电流，用于检测等离子体的偏移，例如电弧、微电弧、或其它等离子体不稳定性。所监测的射频电流可被转换成射频电压并且随后传递...

在一个实施例中，本发明提供一种用于在柔性导电基板的相对侧上同时沉积阳极活性材料或阴极活性材料的装置。该装置包含腔室主体，腔室主体界定一或更多个处理区域，柔性导电基板在该一或更多个处理区域中曝露于双侧喷洒沉积制程，其中一或更多个处理区域中...

本发明提供了端块(100，101)和包括该端块(100，101)的沉积设备(200)。端块(100，101)包括适于以非旋转方式连接到沉积设备(200)的基体(110)。端块(100，101)还包括绕基体(110)布置的旋转轴承(140...

提供了用于形成薄膜电池电化学层的方法和装置。包括电化学活性金属的液体前驱物混合物与氧反应以形成电化学活性金属氧化物，该电化学活性金属氧化物在基板上淀积为一层。可添加碳至混合物以控制对反应的能量输入且在沉积在基板上的晶体之间提供附着和导电...

本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备，该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层，且反射板为反射板组件的一部分，其中反射板组设至底板。

本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该...

在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中，将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上，同时维持真空。将基板放到处理腔室中，并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前，进行等离子体净化及气...