【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体基板处理系统，且更具体地，本专利技术涉及用于沉积材料的层堆栈结构的工艺。2.
技术介绍
半导体基板处理系统通常含有处理腔室，处理腔室具有基座，以在腔室内邻近处理区域处支撑半导体基板。腔室构成真空封闭区而部分地界定处理区域。气体分配组件或喷淋头将一种或多种处理气体提供至处理区域。气体接着经加热和/或供应能量而形成等离子体，以在基板上执行一些工艺。这些工艺可包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，以将膜沉积至基板上。三维(3D)内存可由沉积在基板上的交替膜材料的层堆栈结构制成。例如，3D内存可包括氧化物与氮化物膜的交替层、或者氧化物与硅膜的交替层。这些堆栈结构可包括多层第一材料和第二材料。为了形成这些层堆栈结构，把基板放到第一 PECVD腔室内，并且将真空施加至腔室。前驱物气体用来产生等离子体，并且第一材料沉积在基板上。可用惰性气体(例如氮气)净化腔室，接着将基板移出第一 PECVD腔室。接着将基板传送到第二 PECVD腔室。将真空施加至第二 PECVD腔室，并且前驱物气体用来产生等离子体，且第二材料沉积在基板上的第一材料上。移开基板，并且重...
【技术保护点】
一种方法，包含：(a)将基板放到等离子体增强化学气相沉积（PECVD）腔室中；(b)将第一处理气体激发成第一等离子体；(c)从所述第一等离子体将一层第一材料沉积至所述基板上；(d)等离子体净化所述PECVD腔室，并且利用所述等离子体净化，露出待调理供沉积用的所述第一材料的表面；(e)气体净化所述PECVD腔室，以移除所有气体污染物；(f)将第二处理气体激发成第二等离子体；(g)从所述第一等离子体将一层第二材料沉积至所述基板上；(h)等离子体净化所述PECVD腔室，并且利用所述等离子体净化，露出待调理供沉积用的所述第二材料的表面；(i)气体净化所述PECVD腔室，以移除气体污...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·拉贾戈帕兰，X·韩，J·A·朴，清原敦，朴贤秀，金秉宪，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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