本申请提供沉积至少一个薄膜电极（402、403）至透明导电氧化物膜（405）上的方法。首先，沉积透明导电氧化物膜（405）至待处理基板（101）上。接着，使基板（101）和透明导电氧化物膜（405）经受含有处理气体（207）的处理环境，...

本发明的实施例提供一种稳固的接合材料，所述接合材料适合用于连接半导体处理腔室部件。其他实施例提供使用具有期望特性的附着材料所连接的半导体处理腔室部件。在一个实施例中，适合用于连接半导体腔室部件的附着材料包括具有低于300psi的杨氏模量...

在制造环境中，服务器在第三方支持装备的操作期间自第三方支持装备中接收装备数据。服务器经由第三方支持装备上的第一端口接收装备数据。第三方支持装备经由第三方支持装备上的第二端口与处理工具相通信。基于装备数据，服务器决定第三方支持装备的未来状...

一种电子装置制造室及其形成方法。在第一方面中，提供了一种第一多部件室。该第一多部件室包括：（1）中央部件，具有第一侧面和第二侧面；（2）第一侧部件，适合与中央部件的第一侧面连接；以及（3）第二侧部件，适合与中央部件的第二侧面连接。当中央...

本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上...

本发明的实施例提供一种形成用在薄膜晶体管器件中的III-V族材料的方法。在一个实施例中，由溶液型前驱物所形成的含有或不含掺杂剂的砷化镓基(GaAs)层可用于薄膜晶体管器件中。可将由溶液型前驱物所形成的砷化镓基层并入薄膜晶体管器件中以增进...

本发明关于一种用于等离子体处理腔室设备中的腔室部件或一种用于制造所述腔室部件的方法。所述腔室部件包括经抛光的高纯度铝涂层及硬阳极化涂层，所述硬阳极化涂层对等离子体处理环境具有耐受性。

本发明提供了用于在基板上形成对辐射敏感的光阻的方法。描述了形成薄膜(例如含硅薄膜)光阻的原子层沉积方法。所述工艺可重复多次，以沉积多层硅光阻层。同时揭露了利用含碳底层，例如非晶碳层沉积光阻与在光阻中形成图案的工艺。

本文揭示的实施例大致上关于TFT以及制造TFT的方法。在TFT中，有源沟道层携送电流于源极电极与漏极电极之间。通过调适有源沟道的组成，可以控制电流。有源沟道可以包含三层，即栅极控制层、体层及界面控制层。所述个别的层可以具有不同的组成。此...

本发明提供用于控制及改型光刻胶层的线宽粗糙度（LWR）的方法和设备。在一个实施例中，一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的设备包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区域的顶壁、侧壁和底壁；微波功率发生器，所述微波功率发生...

在此提供在高深宽比特征结构中沉积金属的方法。一些实施例中，一种处理衬底的方法包括以下步骤：施加VHF频率的RF功率至包含金属的靶材以从等离子体形成气体形成等离子体，所述靶材配置在所述PVD腔室中于所述衬底上方；使用所述等离子体从所述靶材...

本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材...

本发明提供在处理装置之中提供不对称等离子体分布的等离子体处理装置。在某些实施例中，等离子体处理装置可包括：具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；及布置于基板支撑上方的第一RF线圈，以将RF能量耦合至处理腔体之中，其中沿着第...

本文提供用于形成磁场的装置及所述装置的使用方法。在一些实施例中，具有基本上相似尺寸的多个线圈以对称的图案围绕处理腔室安置，所述对称的图案以所述处理腔室的中心轴为中心，其中所述多个线圈经配置以产生磁场，所述磁场具有多个磁场线，所述多个磁场...

本发明的实施例一般涉及锂离子电池，尤其涉及具有整合隔离件的电池与制造此种电池的方法。在一实施例中，提供一种锂离子电池，锂离子电池具有电极结构。锂离子电池包含：阳极堆迭；阴极堆迭；及多孔电纺丝聚合物隔离件，多孔电纺丝聚合物隔离件包含纳米纤...

本发明揭示一种基材处理系统，所述基材处理系统具有多个沉积室及第一机械臂，所述第一机械臂可操作以在所述沉积室中的一个与装载闸基材固持区之间移动基材。系统亦可具有第二机械臂，所述第二机械臂可操作以在所述装载闸基材固持区与基材硬化及处理模块的...

本发明提供用于在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体，且该方法可使用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可在小于600℃的温度下实施，例如介于约23℃与约200℃之间或在约100℃下。然后，可致密化该碳化硅层，以去除...

本发明的实施例提供一种可使用MOCVD及/或HVPE硬件来沉积III族氮化物膜的方法与设备。在一个实施例中，该设备是由多个区部组成的喷头组件，所述区部彼此隔离且接附到顶板。各个喷头区部具有分离的入口和通路，以输送分离的处理气体到处理腔室...

本发明提供利用热丝化学气相沉积（HWCVD）工艺沉积膜的方法。在一些实施例中，操作HWCVD工具的方法包括提供氢气（H2）至灯丝，历经第一时段，灯丝置于HWCVD工具的处理腔室中；以及经过第一时段后，使电流流过灯丝，以将灯丝温度提高至第...

本实用新型的实施例大体上提供一混合块件，该混合块件用于混合多种前驱物及/或清洁剂，该混合块件的优点是维持温度以及改善前驱物、清洁剂或前述二者的混合物的混合效应，而消除基板间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。此外，本实用新型还提供了一种C...