本发明提供用于制造多区域底座加热器的系统、方法和装置。多区域底座加热器包括加热器板，所述加热器板包括：第一区域，所述第一区域包括第一加热元件与第一热电偶，所述第一热电偶用于感测所述第一区域的温度，其中所述第一区域设置在所述加热器板的中心...

本发明的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中，双负载闸室包括腔室主体，腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个，经由配置以传送基板的两个开口，能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还...

本发明的实施例大体包含用于制备圆筒状溅射标靶管且将圆筒状溅射标靶管接合至背衬管以形成旋转标靶组件的方法及装置。在一个实施例中，圆筒状标靶组件包括接合材料，该接合材料具有圆筒状表面且与背衬管大致上同心。在一个实施例中，用于形成圆筒状标靶组...

等离子体处理室具有带有整合均流器的下部内衬件。在蚀刻处理中，处理气体会被不均匀地从处理室抽吸，其可导致衬底的不均匀蚀刻。所述整合均流器配置成将使从该室经由下部内衬件排出的处理气体的流动均匀。

一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的...

本实用新型大体上关于半导体制造腔室中的环组件，其可用于蚀刻或其他等离子体处理腔室。该环组件大体上包括内环与外环，该外环配置在该内环径向的外侧。该内环对应使用期间主要侵蚀发生的位置。此内环可翻动(flip)并且再使用，直到双侧已受侵蚀超出...

本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。

描述一种蚀刻图案化异质构造上的暴露的氧化硅的方法，所述方法包括由含氟前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流进衬底处理区域，在该处等离子体流出物与水蒸气结合。在一些实施方式中，由所述结合所造成的化学反应产生反应物...

在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面...

本发明提供用于封装设置于基板上的OLED结构的方法，所述方法使用柔软/聚合物掩模技术。与传统的硬掩模的图案化技术相比，所述柔软/聚合物掩模技术可有效地提供简单且低成本的OLED封装方法。所述柔软/聚合物掩模技术可使用单一聚合物掩模来低成...

本发明公开一种分割多个半导体小晶片的方法，该方法包括：提供载体基板；和将半导体基板接合至该载体基板。该半导体基板包括多个器件。该方法还包括：在该半导体基板上形成掩模层；曝光该掩模层的预定部分；和处理该掩模层的该预定部分，以在该半导体基板...

本发明提供具有加热器与集成冷却器的基板支撑件的实施例。在某些实施例中，基板支撑件可包括：第一构件，当基板位于第一构件的第一表面上方时，第一构件用以散布热至基板；加热器，加热器设置于第一构件下，且加热器具有一或多个加热区域以提供热至第一构...

本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦...

本发明揭示的各方面有关于在图案化基板上沉积共形氧化硅多层的方法。所述共形氧化硅多层各自通过沉积多个子层而形成。子层是通过以下步骤沉积的：将双（二乙基胺基）硅烷(BIS(DIETHYLAMINO)SILANE,BDEAS)与含氧前驱物流入...

本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室...

本文提供用于控制处理系统的方法及设备。在一些实施例中，一种控制处理系统的方法可包括以下步骤：以第一基线泵空转速度操作耦接至处理腔室的真空泵，所述第一基线泵空转速度经选择以将所述处理腔室的压力维持在等于第一基线泵空转压力；在以所述第一基线...

本实用新型涉及分段式聚焦环组件，其实施例包括聚焦环分段和聚焦环组件。在一种实施例中，聚焦环分段包括弧形主体，该主体具有下部环分段、中部环分段、顶部环分段和唇缘。下部环分段具有底表面，中部环分段也具有底表面，其中，中部环分段在中部环分段的...

本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热...

本发明的实施方式提供一种适合用于蚀刻高纵横比特征的诸如处理室的装置。在其他实施方式中，公开了能在高纵横比蚀刻期间获得优良处理结果的不同的室部件。例如，在一个实施方式中，提供处理室，所述处理室包括室主体，所述室主体具有设置在室主体中的喷头...

本发明的实施例提供了一种方法和设备，通过在给定压力下控制等离子体中离子与自由基的比例而对基板进行等离子体处理，以于基板上和置于其上的器件上形成薄膜。可维持给定压力以利用一等离子体源促进离子生成，并可用第二等离子体源来提供其他自由基。在一...