双负载闸配置的消除及剥离处理腔室制造技术

本发明专利技术的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中，双负载闸室包括腔室主体，腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个，经由配置以传送基板的两个开口，能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还包括设在第二腔室容积内的加热基板支撑组件。加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板。双负载闸室还包括连接至第二腔室容积的远端等离子体源，用以供应等离子体给第二腔室容积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·杰夫·萨里纳斯，P·B·路透，阿尼鲁达·帕尔，杰瑞德·阿哈默德·里，I·优素福，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：