具有共享泵的真空腔室制造技术

本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有共享泵的真空腔室相关申请的交叉引用本申请要求提交于2011年3月1日的美国临时专利申请序列号61/448,024的权益。背景领域本揭示案的实施例大体关于具有不同泵送要求的真空腔室，这些真空腔室经由单个前级真空管线耦接至泵送系统。相关技术描述在诸如用于制造集成电路、平板显示器，及磁性介质等其它对象的工具的真空处理工具中，经由使用真空泵维持真空处理工具的腔室的真空环境。由于作业于各个真空处理腔室的过程具有不同压力及/或泵送要求，所以每一真空处理腔室典型地具有专用真空泵。因此，真空泵传统地只共享于具有相同泵送要求的真空腔室之间，因为不能精密满足不同环境的独特泵送要求。每一真空腔室的专用泵的需求增加系统的总成本，以及硬件成本及与多个泵的额外空间要求相关联的成本。因此，需要经改良处理系统，该经改良处理系统具有以单个真空泵伺服具有不同泵送要求的真空处理区域的能力。概要本揭示案大体关于用于处理基板的真空腔室。这些真空腔室包括：第一基板腔室，该第一基板腔室隔离于第二基板腔室；真空泵；及高传导前级真空管线，该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板腔室且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板腔室。选择每一管道的传导性以允许使用耦接至单个前级真空管线的单个泵(或多个泵)使每一腔室的不同泵送需求得到满足。本揭示案的另一实施例提供腔室主体，该腔室主体具有第一及第二基板移送室。第一基板移送室隔离于第二基板移送室。基板移送室进一步包括真空泵及高传导前级真空管线，该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板移送室，且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板移送室。本揭示案的另一实施例提供一系统，该系统具有：第一腔室主体及第二腔室主体，该第一腔室主体具有隔离于第二个第一基板移送室的第一基板移送室，该第二腔室主体具有隔离于第四个第一基板移送室的第三基板移送室。该系统还包括：真空泵；高传导前级真空管线，该高传导前级真空管线耦接至泵；第一高传导泵送管道，该第一高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第一基板移送室；及第二高传导泵送管道，该第二高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第三基板移送室。该系统进一步包括：低传导前级真空管线，该低传导前级真空管线耦接至高传导前级真空管线；第一低传导泵送管道，该第一低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第二基板移送室；及第二低传导泵送管道，该第二低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第四基板移送室。附图简述为能详尽理解以上所述本揭示案的特征结构，可参考实施例更具体的描述上文简单概括的本揭示案，其中一些实施例图示于附加图式中。然而，应注意附加图式仅图示出本揭示案的典型实施例，且因为本揭示案可允许其它同等有效的实施例，所以这些图示不欲视为本揭示案的范畴之限制。图1为根据本揭示案的一个实施例的真空腔室的前剖视图。图2为图1的真空腔室的剖面示意图。图3为图1的真空腔室的另一剖面俯视图。图4为根据本揭示案的实施例的具有泵系统的真空腔室的示意图。图5为图4的泵系统的替代实施例的局部示意图。图6为具有多个真空腔室及一个泵系统的一个实施例的前示意图。图7为具有多个真空腔室及一个泵系统的替代实施例的前示意图。为了促进了解，尽可能使用相同的组件符号来表示图式中相同的组件。考虑到一个实施例中的组件及特征结构，可有利地并入在其它的实施例中而无需进一步描述。详细描述本揭示案提供基板真空处理系统，该基板真空处理系统包括多个互相隔离的基板腔室。基板腔室各自藉由泵送管道耦接至真空泵，这些泵送管道被配置成具有经选择的传导性比，使得基板腔室可共享公共的真空泵。图1为根据本揭示案的一个实施例的处理系统100的前剖视图。处理系统100大体包括腔室主体102，该腔室主体102具有藉由内壁108隔离于第二腔室106的第一腔室104。尽管腔室104、106图示于公共腔室主体102中，但腔室104、106可替代地配置于单独的主体中。穿过腔室主体102形成的基板移送口110为第一及第二腔室104、106提供出入口。耦接至腔室主体102的门112操作以选择性地开闭每一基板移送口110，以便于基板进出第一及第二腔室104、106。加工界面114耦接至腔室主体102的一侧。移送室116耦接至腔室主体102的另一侧。尽管未图示，但多个处理腔室耦接至移送室116以处理基板。在一个实施例中，第一腔室104为等离子处理腔室，诸如等离子减弱、回火、布植、灰化或其它等离子处理腔室的腔室。第一腔室104包括喷淋头118、基板支撑120，及加热器122。在处理期间，加热器122加热藉由基板支撑120支撑于第一腔室104中的基板124。气体分配盘128控制处理气体流经远程等离子源130且经由气体入口126进入第一腔室104，该气体入口126穿过腔室主体102而形成。经由气体入口126进入第一腔室104的处理气体经由多个孔134侧向分散，以使处理气体均匀分散于基板124的表面上，该多个孔134穿过喷淋头118而形成。可提供射频功率源132以供动力给喷淋头118及/或基板支撑120中的一或两者，藉以激励第一腔室104内的气体。第一排气口136穿过腔室主体102形成以允许处理气体从第一腔室104移除。第一排气管道138耦接第一排气口136至前级真空管线142。前级真空管线耦接至泵送系统144。泵送系统144可包括一或更多个泵。在图1所示的实施例中，可伸缩联结器140耦接第一排气管道138至前级真空管线142以允许热膨胀及更大的容限。可伸缩联结器140大体包括波纹管150及凸缘146、148。凸缘146、148各自密封地耦接至第一排气管道138及前级真空管线142。波纹管150密封地耦接至凸缘146、148，同时允许波纹管150与凸缘间的相对运动而不损害密封。在所示的实施例中，第二腔室106配置为无等离子处理能力的负载锁腔室，例如，用于在相邻腔室及/或加工接口的真空与大气环境间简单移送基板。第二腔室106可选择地具有非等离子加热及/或冷却组件（未图标）。第二腔室106大体包括多个基板支撑152，该多个基板支撑152经配置以支撑第二腔室106内的基板154。第二排气口156穿过腔室主体102而形成且耦接至第二排气管道158。第二排气管道158藉由可挠联结器140耦接至前级真空管线142且最终耦接至泵144。第一排气管道138及第二排气管道158各自配置以具有不同预定传导性，以使得第一及第二腔室104、106的泵送要求可由单个泵送系统144得到伺服。如图1中所示，第一排气管道138经配置以具有高传导性以允许执行于第一腔室104中的等离子过程所需的更大量的气体从第一腔室104移除。第二排气管道158经配置以具有相对第一排气管道138的传导性的低传导性，使得从第一及第二腔室104、106泵送的不同流速的气体可同时藉由单个泵送系统144通过单个前级真空管线142抽吸。图2为穿过第二腔室106的腔室主体102的剖视图。如上文所述，第二排气口156流体耦接至第二腔室106。另外，第一排气口136穿过腔室主体102而形成，且隔离于第二腔室106及第二排气口156。孔204穿过腔室主体102而形成，隔离于第二腔室106，且延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.01 US 61/448,0241.一种处理基板的系统，包含：腔室主体，所述腔室主体具有隔离于第二基板移送室的第一基板移送室，其中所述第一基板移送室为耦接至远程等离子源的等离子处理腔室且用于在所述第一基板移送室中执行等离子处理；真空泵；前级真空管线，所述前级真空管线耦接至所述真空泵；第一泵送管道，所述第一泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第一基板移送室；以及第二泵送管道，所述第二泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第二基板移送室，其中所述第二泵送管道的传导性低于所述第一泵送管道的传导性。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包含：第二真空泵，所述第二真空泵耦接至所述前级真空管线。3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每一基板移送室具有两个基板移送口。4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包含：喷淋头，所述喷淋头设置于所述第一基板移送室内。5.一种处理基板的系统，包含：腔室主体，所述腔室主体具有形成于所述腔室主体中的第一基板移送室及第二基板移送室，其中所述第一基板移送室隔离于所述第二基板移送室，其中所述第一基板移送室为耦接至远程等离子源的等离子处理腔室且所述第一基板移送室用于在所述第一基板移送室中执行等离子处理；真空泵；前级真空管线，所述前级真空管线耦接至所述真空泵；第一泵送管道，所述第一泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第一基板移送室；以及第二泵送管道，所述第二泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第二基板移送室，其中所述第二泵送管道的传导性低于所述第一泵送管道的传导性。6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，每一基板移送室具有两个基板移送口。7.如权利要求5所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕尔，M·J·萨里纳斯，J·A·里，P·B·路透，I·优素福，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：